型号:

TLV2170IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLV2170IDR 产品实物图片
TLV2170IDR 一小时发货
描述:运算放大器 0.4V/us 双路 10pA 1.2MHz SOIC-8
库存数量
库存:
484
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.15
2500+
2.06
产品参数
属性参数值
放大器数2
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.2MHz
输入失调电压(Vos)2.5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)400V/ms
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)10pA
噪声密度(eN)22nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)110dB
静态电流(Iq)125uA
输出电流17mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~36V
双电源(Vee~Vcc)-18V~-1.35V;1.35V~18V

TLV2170IDR 产品概述

一、产品简介

TLV2170IDR 是德州仪器(TI)推出的一款双通道低功耗运算放大器,封装为 8-SOIC。器件着重于低偏置电流与低噪声表现,适合电池供电与高阻抗传感器前端应用。器件提供轨到轨输出能力,工作温度范围宽 (-40℃ 至 +125℃),供电灵活,可在 2.7V 至 36V 单电源或 ±1.35V 至 ±18V 对称供电下工作。

二、主要特性(要点)

  • 双放大器(2 通道)
  • 最大电源差:36V
  • 轨到轨输出(输出可接近电源轨)
  • 增益带宽积(GBP):1.2MHz
  • 压摆率(SR):0.4 V/µs(400 V/ms)
  • 输入失调电压:2.5 mV,温漂 2 µV/℃
  • 输入偏置/失调电流:典型 10 pA
  • 噪声密度:22 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):110 dB
  • 静态电流(Iq):约 125 µA(单通道)
  • 输出驱动能力:约 17 mA
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:8-SOIC(TI 型号 IDR)

三、关键参数解读

TLV2170 以极低的输入偏置电流(pA 级)见长,适合与高源阻抗传感器(如光电、热电偶或电化学传感器)配合使用,可显著降低源漏电流带来的误差。22 nV/√Hz 的噪声密度与 2.5 mV 的低失调保证了较好的精度。1.2 MHz 的 GBP 和 0.4 V/µs 的压摆率表明该器件适用于低至中等带宽的信号处理场合,但不适合高速或大电流驱动应用;17 mA 的输出能力可满足多数模拟信号驱动,但驱动重负载或大容性负载时需谨慎。

注意器件声明为“轨到轨输出”,输入端不一定为全轨到轨,实际共模输入范围请参考 TI 官方资料并在设计中预留裕量。

四、典型应用场景

  • 便携式与电池供电仪器的信号调理
  • 传感器前端(高阻抗传感器放大)
  • 精密低频滤波器与缓冲放大
  • 数据采集系统的前置放大与缓冲
  • 工业控制与过程测量(宽温度范围)

五、设计与布局建议

  • 电源旁放置去耦电容(如 0.1 μF 与 1 μF 并联),靠近芯片电源引脚焊盘布置。
  • 对于 pA 级输入偏置电流场合,尽量缩短高阻节点的走线,使用防护环/地环或保护涂层以减小表面泄漏。
  • 避免在输出端驱动大的容性负载;如需驱动较大电容或长电缆,考虑输出缓冲或阻尼电阻。
  • 布局时注意将敏感输入与数字/开关噪声源隔离,保持良好的接地回路,减少共模干扰对低噪放大的影响。

六、封装与可靠性

TLV2170IDR 提供 8-SOIC 封装,适合自动贴片与标准工业生产。器件工作温度覆盖工业级(-40℃ 至 +125℃),适用于大多数严苛环境应用。有关更详细的电气特性、引脚排列和典型应用电路,请参考 TI 官方数据手册以获得完整设计指南与可靠性信息。