BL3400 产品概述

一、产品简介

BL3400 是银河微电（GME）推出的一款 SOT-23 封装 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 30V，适用于消费类与工业类中低压开关与电源管理场合。器件以低导通电阻与紧凑封装为特点，适合空间受限的 PCB 布局与轻载到中等功率应用。

二、主要参数概览

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：5.7A
• 导通电阻 RDS(on)：32mΩ @ Vgs=4.5V
• 功耗耗散 Pd：1.4W（铜箔与散热条件相关）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.4V @ ID=250µA
• 栅极电荷 Qg：13nC @ Vgs=4.5V
• 反向传输电容 Crss：65pF；输出电容 Coss：88pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23（小型化，需注意热阻）

三、关键特性与优势

• 低 RDS(on)（32mΩ@4.5V），在 4.5V 驱动下损耗较低，适合以逻辑电平驱动的功率开关。
• 中等栅极电荷（13nC）在驱动器选择上有利于兼顾开关速度与驱动损耗。
• 小型 SOT-23 封装便于密集布局和便携设备应用，但散热能力有限，适合中低功率工况。

四、典型应用场景

• 移动设备与便携电源的电源路径开关与负载开关
• DC-DC 变换器（低电压输出）中的同步整流或开关元件（需评估开关损耗）
• 电池管理、电源保护与反向保护电路
• 小型电机驱动、继电器驱动与功率分配模块

五、设计与使用注意

• 驱动电压：器件在 Vgs=4.5V 时 RDS(on) 标称性能最佳。若仅用 2.5V 驱动，应验证实际导通电阻及温升。
• 热管理：SOT-23 封装的 Pd 和实际允许电流受 PCB 铜箔面积影响显著。高平均功率或连续大电流时应增加散热铜箔和热过孔。
• 开关损耗：Qg 与 Coss/Crss 决定了驱动能量和 Miller 效应，快速开关会增加切换损耗和应力，必要时使用合适的驱动器或限制 dv/dt。
• 可靠性：工作温度覆盖 -55℃ 到 +150℃，但长期可靠性与封装散热、结温有关，应在设计中控制结温并留裕度。

六、典型电路建议

• 低侧开关：用于开关负载，建议在栅极串联 10Ω 至 100Ω 抑制振铃，并在地回路加保护二极管或 RC 串联吸收网络。
• 同步整流：在同步整流应用中，配合门驱控制以降低导通损耗，同时注意开关瞬态和热应力。

七、选型提示

欲替换或选择类似器件时，关注关键参数：Vdss、RDS(on)（在目标驱动电压下）、Qg、封装热阻与实际布局散热能力。BL3400 在小体积、逻辑电平驱动场合表现优异，但若需大电流持续工作，建议选用更大封装或并联设计以降低结温。

如需样片、详细管脚定义或完整电气特性曲线，我可根据具体应用给出更精确的布局与驱动建议。