型号:

IS25WP064A-JBLE-TR

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:8-SOIC
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
IS25WP064A-JBLE-TR 产品实物图片
IS25WP064A-JBLE-TR 一小时发货
描述:NOR FLASH 64Mbit SPI 800us 1.65V~1.95V SOIC-8-208mil
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最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.83
2000+
4.63
产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量64Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.65V~1.95V
待机电流5uA
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)800us
数据保留 - TDR(年)20年

IS25WP064A-JBLE-TR 产品概述

概要

IS25WP064A-JBLE-TR 是由美国芯成(ISSI)公司生产的一款高性能 NOR 闪存芯片,属于闪存家族。该芯片以其高速度、低功耗和多种接口选项而受到广泛欢迎,特别适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。

基础参数

  • 存储器格式: 闪存
  • 电压 - 供电: 1.65V ~ 1.95V
  • 存储器接口: SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 存储容量: 64Mb (8M x 8)
  • 工作温度: -40°C ~ 105°C(TA)
  • 技术: FLASH - NOR
  • 写周期时间 - 字,页: 800µs
  • 时钟频率: 133MHz
  • 存储器类型: 非易失

描述

IS25WP064A-JBLE-TR 采用 SOIC-8-208mil 封装,适合各种空间有限但要求高性能的电子设备。以下是对其详细特性的介绍:

接口和通信

该芯片支持多种高性能接口,包括:

  • SPI (Serial Peripheral Interface): 支持四线I/O模式,允许更高的数据传输速率。
  • QPI (Quad Peripheral Interface): 提供更快的读取速度,通过四线I/O实现高达133MHz的时钟频率。
  • DTR (Double Transfer Rate): 允许在每个时钟周期内传输两个位,从而进一步提高数据传输速度。

这些接口选项使得IS25WP064A-JBLE-TR能够满足不同应用场景下的性能需求。

性能特点

  • 高速读取: 支持高达133MHz的时钟频率,确保快速数据访问和处理。
  • 低功耗: 工作电压范围为1.65V ~ 1.95V,适合低功耗设计要求。
  • 写入性能: 单字节或一页写入周期仅为800µs,满足快速写入需求。

可靠性和耐用性

  • 工作温度范围: -40°C ~ 105°C,适用于极端环境下的应用。
  • 非易失存储: 数据在断电后不会丢失,确保数据的长期保存。

封装和安装

IS25WP064A-JBLE-TR 采用 SOIC-8-208mil 封装,这是一种常见且便于安装的表面贴装封装。这种封装方式不仅节省空间,还提高了生产效率和可靠性。

应用场景

IS25WP064A-JBLE-TR 广泛应用于以下领域:

  • 嵌入式系统: 适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统,如工业控制器、医疗设备等。
  • 消费电子: 用于智能家居设备、可穿戴设备等需要低功耗、高性能存储解决方案的产品。
  • 汽车电子: 满足汽车电子系统对高可靠性和耐用性的要求。
  • 通信设备: 用于基站、路由器等通信设备中,提供快速数据存储和访问功能。

总结

IS25WP064A-JBLE-TR 是一款高性能、低功耗的NOR闪存芯片,通过其灵活的接口选项、高速读写能力以及广泛的工作温度范围,成为各种电子设备中理想的存储解决方案。其出色的可靠性和耐用性使其在多个行业中得到广泛应用。对于任何需要高性能存储解决方案的设计工程师来说,IS25WP064A-JBLE-TR 都是一个值得考虑的选择。