FDMC6686P

FDMC6686P 产品概述

1. 产品简介

FDMC6686P 是 ON Semiconductor（安森美）公司推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，属于 PowerTrench® 系列。该器件采用先进的 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于多种电源管理和开关应用。其表面贴装型封装和紧凑的设计使其在空间受限的应用中表现出色。

2. 主要特性

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: PowerTrench®
• 包装: 卷带（TR）
• 零件状态: 有源
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta），56A（Tc）
• 驱动电压: 1.8V（最大 Rds On），4.5V（最小 Rds On）
• 导通电阻: 4mΩ @ 18A，4.5V
• Vgs(th): 1V @ 250µA
• Vgs（最大值）: ±8V
• 功率耗散: 2.3W（Ta），40W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
• 封装/外壳: 8-PowerWDFN
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 栅极电荷 (Qg): 122nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 13200pF @ 10V
• 基本产品编号: FDMC66

3. 应用领域

FDMC6686P 适用于多种电源管理和开关应用，包括但不限于：

• DC-DC 转换器: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，FDMC6686P 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器。
• 电源管理: 在电源管理系统中，该器件可以提供高效的电源开关和调节功能。
• 电机驱动: 在电机驱动电路中，FDMC6686P 可以提供可靠的开关性能和高电流处理能力。
• 电池保护: 在电池保护电路中，该器件可以提供有效的过流和过压保护。

4. 技术优势

• 低导通电阻: FDMC6686P 的导通电阻仅为 4mΩ，这有助于减少功率损耗，提高系统效率。
• 高电流处理能力: 在 25°C 时，连续漏极电流可达 18A（Ta），56A（Tc），使其能够处理高电流负载。
• 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适用于各种恶劣环境。
• 紧凑封装: 采用 8-PQFN（3.3x3.3）封装，尺寸小巧，适合空间受限的应用。

5. 封装与安装

FDMC6686P 采用表面贴装型封装，具体为 8-PowerWDFN，封装尺寸为 3.3mm x 3.3mm。这种紧凑的封装设计使其在 PCB 布局中占用更少的空间，同时提供良好的热性能和电气性能。

6. 电气特性

• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 栅极电荷 (Qg): 122nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 13200pF @ 10V

7. 热性能

• 功率耗散: 在环境温度（Ta）下，最大功率耗散为 2.3W；在壳温（Tc）下，最大功率耗散为 40W。这表明 FDMC6686P 在高功率应用中具有良好的热管理能力。

8. 可靠性

FDMC6686P 的设计和制造符合 ON Semiconductor 的高质量标准，确保其在各种应用中的可靠性和稳定性。其宽工作温度范围和良好的热性能进一步增强了其在恶劣环境中的可靠性。

9. 总结

FDMC6686P 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和紧凑的封装设计。它适用于多种电源管理和开关应用，包括 DC-DC 转换器、电源管理、电机驱动和电池保护等。其先进的技术和可靠的性能使其成为工程师在设计高效、紧凑电源系统时的理想选择。

通过以上概述，可以看出 FDMC6686P 在多个方面表现出色，是一款值得信赖的 MOSFET 器件。