型号:

BZT52C6V8SW

品牌:晶导微电子
封装:SOD-323W
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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BZT52C6V8SW 产品实物图片
BZT52C6V8SW 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 6.8V 6.4V~7.2V 2uA@4V SOD-323W
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商品单价
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1+
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3000+
0.0382
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)6.8V
反向电流(Ir)2uA@4V
稳压值(范围)6.4V~7.2V
耗散功率(Pd)200mW
阻抗(Zzt)15Ω
阻抗(Zzk)80Ω
工作结温范围-55℃~+150℃

BZT52C6V8SW 产品概述

一、产品简介

BZT52C6V8SW 是晶导微电子推出的一款独立式稳压二极管(Zener diode),标称稳压值为 6.8V,实际稳压范围 6.4V~7.2V。器件采用 SOD-323W 小型贴片封装,适合空间受限和自动贴片生产场合。其低电流下的反向漏电流仅 2µA(在 4V 时测得),适用于对漏电有严格要求的电路参考与保护场合。

二、主要电气参数

  • 稳压值(标称):6.8V;允许范围 6.4V~7.2V。
  • 反向电流 Ir:2µA @ 4V(低漏电,利于高阻抗参考)。
  • 耗散功率 Pd:200mW(封装限制的最大耗散,注意热管理)。
  • 动态阻抗 Zzt:15Ω(在规定工作电流下,表示稳压小信号阻抗)。
  • 膝值阻抗 Zzk:80Ω(在接近击穿起始点时的阻抗特性)。
  • 工作结温范围:-55℃~+150℃。

三、封装与热性能

SOD-323W 小型表贴封装体积小、引脚间距短,便于高密度 PCB 布局。200mW 的耗散功率在实用电路中要求合理的热设计:尽量增大焊盘铜箔面积、必要时增加过孔或接地铜面以改善散热;高环境温度下应降低允许的稳压电流以防结温过高。

四、典型应用

  • 作为低功耗电压基准或偏置源,用于模拟前端、传感器供电。
  • 输入浪涌或过压钳位保护,保护后级电路免受短时电压尖峰伤害。
  • 波形钳位与逻辑电平保护,因封装小巧适合便携和消费电子。

五、使用与选型建议

为保证长期可靠性,应避开连续接近最大耗散功率的工作点。设计时按照最大结温与导热条件进行功率余量计算;若工作电流或功率接近上限,考虑选用功率更高或低阻抗的封装型号。注意电路中的串联限流电阻和瞬态电流冲击,必要时配合抑制电容或瞬态抑制器件。

六、检验与质量控制建议

到货检验宜包含外观、管脚连通性、稳压值与漏电流抽测。可靠性试验可关注高温贮存、温度循环和焊接热应力后的稳压漂移情况。对于批量生产,应建立基于环境温度的功率降额表和 PCB 热仿真验证流程。

综上,BZT52C6V8SW 以其稳定的 6.8V 稳压特性、低漏电和小型 SOD-323W 封装,适合对空间和静态电流有要求的参考、保护与钳位应用,但在高功率或高温场合需注意热设计与选型余量。