型号:

SN74LVC1G86QDCKTQ1

品牌:TI(德州仪器)
封装:SC-70-5
批次:19+
包装:-
重量:-
其他:
-
SN74LVC1G86QDCKTQ1 产品实物图片
SN74LVC1G86QDCKTQ1 一小时发货
描述:逻辑门 SN74LVC1G86QDCKTQ1 SC-70-5
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:250
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.33
250+
6.98
产品参数
属性参数值
逻辑类型异或门
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
静态电流(Iq)15uA
灌电流(IOL)32mA
拉电流(IOH)32mA
输入高电平(VIH)100mV~3.8V
输入低电平(VIL)100mV~550mV
输出高电平(VOH)3.8V
输出低电平(VOL)550mV
系列74LVC系列
传播延迟(tpd)5ns@5V,50pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

SN74LVC1G86QDCKTQ1 产品概述

一、概述与定位

SN74LVC1G86QDCKTQ1 是德州仪器(TI)推出的单通道异或(XOR)门,隶属于 74LVC 系列低压高速逻辑器件。器件支持 1.65 V 至 5.5 V 宽工作电压范围,集成度高、功耗低、驱动能力强,适合用于电平兼容、门电路合成、数字信号比较等场合。

二、主要特性

  • 逻辑类型:异或门(XOR),输入通道数:2,输出为单通道。
  • 工作电压范围:1.65 V ~ 5.5 V,支持 1.8 V、2.5 V、3.3 V 以及 5 V 系统互联。
  • 静态电流(Iq):典型 15 μA,适合功耗敏感应用。
  • 输出驱动能力:拉/灌电流 IOH / IOL 均可达 32 mA,具备较强的负载驱动能力。
  • 传播延迟(tpd):5 ns(在 VCC = 5 V、负载 C = 50 pF 条件下)。
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃,适合工业级应用。
  • 封装:SC-70-5(小型封装,适合空间受限的板级设计)。

三、电气接口与电平

  • 输入阈值:用户给定范围为 VIH 100 mV ~ 3.8 V,VIL 100 mV ~ 550 mV(实际阈值随供电电压与工况变化,请以器件 Datasheet 中的典型/保证值为准)。
  • 输出电平:VOH 可达 3.8 V,VOL 可达 550 mV(说明在特定供电与负载下可达到的高低电平保证,设计时请注意输出电压随负载电流的变化)。 说明:上述输入/输出电平参数可能为典型或在特定测试条件下的保证值,工程设计中请参考 TI 官方资料以获得条件依赖的完整规范(如 IOH/IOL、温度与 VCC 相关的电压-电流曲线)。

四、封装与布局建议

SC-70-5 小体积封装利于高密度 PCB 布局。建议:

  • 电源引脚旁靠近地平面做去耦电容(0.1 μF)以抑制瞬态干扰。
  • 高速信号线尽量缩短,避免长导线引入额外电容和串扰,保障 5 ns 级别的时序性能。
  • 若驱动较大电容负载或长线,总线阻抗匹配与缓冲器设计需额外考虑。

五、典型应用场景

  • 数字比较与奇偶校验电路(奇偶校验生成/检测)。
  • 可配置逻辑与门电路替代,作为信号选择或条件翻转单元。
  • 电平转换与接口逻辑(在满足电平兼容条件下)及嵌入式系统的低功耗逻辑功能实现。
  • 工业控制、通信模块、消费电子以及汽车级电子(在满足温度与可靠性要求下)。

六、设计注意事项

  • 虽然器件支持宽电压范围,但输入阈值与时序性能会随 VCC 变化,关键设计应基于所选工作电压下的 Datasheet 曲线进行仿真与验证。
  • 大输出电流驱动时注意功耗与器件发热,必要时加散热或限制驱动占空比。
  • 对于静态电流敏感的电池供电系统,应评估器件在目标工作模式下的待机电流和唤醒行为。

如需后续支持,可提供 Datasheet 具体页码的典型曲线、引脚排列图与电平时序图,便于完成 PCB 布局与仿真验证。