S-LBSS84LT1G 产品概述

S-LBSS84LT1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款小功率 P 沟道场效应管，采用 SOT-23 封装，适用于便携式电源管理及小电流高侧开关场合。该器件以其高耐压、低栅电容和小体积封装，适合在空间受限的电路中实现可靠的开/关和保护功能。

一、主要规格亮点

• 型号：S-LBSS84LT1G（LRC）
• 极性：P沟道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：50 V
• 连续漏极电流（Id）：130 mA
• 最大耗散功率（Pd）：225 mW
• 导通电阻（RDS(on)）：2 Ω（在驱动电压 5.0 V、Id=100 mA 条件下）
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：约 2 V（按厂家测量方式）
• 输入电容（Ciss）：38 pF（在 15 V 测试条件下）
• 反向传输电容（Crss）：2.7 pF（在 15 V 测试条件下）
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23，单只装

二、典型应用场景

• 电池供电设备的高侧开关与负载断开
• 电源管理与节能控制（负载选择、待机切换）
• 反接/反向保护（与控制电路搭配实现）
• 小信号功率控制、模拟开关与电平转换
  适用于便携式仪器、物联网传感节点、消费类电子和工业控制等对电流和空间有控制要求的场合。

三、封装与引脚提示

• 封装形式：SOT-23，体积小、易于表面贴装。
• 常见引脚功能示例：1—G（栅），2—D（漏），3—S（源），具体引脚定义请参照厂商封装图。
• 小封装对应较小的功耗散能力，建议在电路设计时留有热量余量，并注意铜箔面积与散热路径。

四、设计要点与使用建议

• P 沟道器件在高侧开关时方便直接驱动：当栅电位靠近源电位时关断，栅相对于源有足够负电压时导通（注意控制栅源电压极性与幅值）。
• 驱动与开关速度：Ciss=38 pF、Crss=2.7 pF，栅电容偏小，适合中等速度切换，栅驱动损耗较低。
• 功率与热管理：Pd=225 mW，连续工作时需关注结温和印制板散热，避免在高环境温度或较大电流下长期满载。
• 阈值与导通：RDS(on) 在 5 V 驱动下为 2 Ω（100 mA），适用于小电流开关，若需更低导通损耗应选用低 RDS(on) 器件。
• 保护与容差：注意不要超过栅源极限电压与漏源最大电压，实际电路设计应参考完整数据手册以保证可靠性。

五、选型建议与替代考虑

若应用需要更高电流、更低导通电阻或更高功耗能力，可考虑封装更大或 RDS(on) 更低的器件；若需同功能的 N 沟道解决方案，可在低侧开关或采用驱动电路实现。S-LBSS84LT1G 在小电流、高压差、空间受限的场合表现良好，是便携与电源管理电路的常用选择。

总结：S-LBSS84LT1G 以其 50 V 耐压、低栅电容和 SOT-23 小体积，适合用于小功率、高侧开关及电源管理场景。在设计时应注意热量、栅驱动及绝对最大额定值，结合完整数据手册进行电路和布局验证。