型号:

OPA27GU/2K5

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:25+
包装:编带
重量:0.22g
其他:
-
OPA27GU/2K5 产品实物图片
OPA27GU/2K5 一小时发货
描述:精密运放 1.9V/us 单路 15nA 8MHz SOIC-8
库存数量
库存:
295
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.89
2500+
4.7
产品参数
属性参数值
放大器数单路
增益带宽积(GBP)8MHz
输入偏置电流(Ib)15nA
输入失调电压(Vos)25uV
共模抑制比(CMRR)122dB
压摆率(SR)1.9V/us
输出电流25mA
输入失调电压温漂(Vos TC)400nV/℃
静态电流(Iq)3.3mA
工作温度-40℃~+85℃
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-4V;4V~18V
最大电源宽度(Vdd-Vss)44V
噪声密度(eN)3.2nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)75nA

OPA27GU/2K5 产品概述

一、产品简介

OPA27GU/2K5 是 TI(德州仪器)推出的一款单路精密运算放大器,采用 8-SOIC 封装,面向低噪声、高精度模拟信号处理场合。该器件具有 8 MHz 的增益带宽积(GBP)、极低的输入失调电压和低噪声密度,适用于传感器信号调理、仪器放大、精密滤波和数据采集前端驱动等应用。

二、主要性能参数

  • 放大器数:单路
  • 增益带宽积(GBP):8 MHz
  • 输入偏置电流(Ib):15 nA
  • 输入失调电压(Vos):25 μV
  • 输入失调电流(Ios):75 nA
  • 共模抑制比(CMRR):122 dB
  • 压摆率(SR):1.9 V/μs
  • 输出电流:25 mA
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):400 nV/℃
  • 静态电流(Iq):3.3 mA
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃
  • 电源范围:双电源 VEE ~ VCC = -18V ~ -4V;单电源 4V ~ 18V
  • 最大电源差(VDD-VSS):44 V
  • 噪声密度(eN):3.2 nV/√Hz @1 kHz
  • 封装:8-SOIC

三、关键特点与优势

  • 极低的失调电压与漂移:25 μV 的低输入失调与 400 nV/℃ 的温漂,保证长时间与温度变化下的高精度直流测量。
  • 低噪声性能:3.2 nV/√Hz 的噪声密度使其在低电平信号放大时具备优秀的信噪比,适合微弱信号采集。
  • 适度带宽与压摆率:8 MHz GBP 与 1.9 V/μs 的压摆率在保持精度的同时支持中等速率信号处理和稳定驱动负载。
  • 低静态电流:3.3 mA 的静态电流在兼顾性能的同时降低系统功耗,有利于多通道或电池供电系统设计。
  • 宽电源范围:可在较宽的单/双电源条件下工作,设计灵活性高。

四、典型应用场景

  • 精密传感器信号调理(温度、压力、微弱电压/电流测量)
  • 仪器放大器输入级、精密差分放大与直流耦合测量
  • 高精度数据采集系统(ADC 前置放大器)
  • 有源滤波器、采样保持与基准缓冲
  • 医疗电子、便携式测试设备与工业控制系统

五、使用与布局建议

  • 电源去耦:在器件近旁放置 0.1 μF 陶瓷电容并配合 1–10 μF 旁路电容,以抑制电源噪声与瞬态。
  • 输入端泄漏控制:为确保低偏置/低失调表现,使用低漏电 PCB 材料,减少焊剂残留,并在高阻接口处采用防护环或屏蔽。
  • 接地设计:采用单点或星形接地以降低共模噪声,敏感模拟地应远离数字地。
  • 热管理:静态功耗为 Iq × VCC(例如 ±15V 供电时约 3.3 mA × 30 V ≈ 99 mW),在高密度布局中注意封装散热路径。

六、封装与环境指标

OPA27GU/2K5 采用 8-SOIC 封装,适合标准表面贴装生产工艺。工作温度范围 -40℃ 至 +85℃,可满足大多数工业等级应用。请根据 TI 提供的包装与焊接指南进行回流焊温度与时间控制,避免影响器件长期可靠性。

七、建议电路与注意事项

  • 直流精度电路:对要求极低偏移的应用,建议在输入端采用短路径、低泄漏材料,必要时在输入旁施加冷端补偿或调零电路。
  • 带宽与稳定性:在高闭环增益下器件工作稳定,但在驱动容性负载或构建高增益宽带放大器时,应加入小量反馈补偿或串联阻抗以防振荡。
  • 保护与限流:尽管输出电流可达 25 mA,但在驱动外部负载或短路情况下建议添加限流措施或保护网络,延长器件寿命。

总结:OPA27GU/2K5 是一款面向高精度、低噪声模拟前端的单通道运放,兼具良好的直流指标与适中的动态性能,适合传感器调理、精密测量与数据采集系统。在实际设计中注意输入泄漏控制、电源去耦和负载驱动限制,可发挥其最佳性能。