INA819IDGKR 产品概述

一、概述

INA819IDGKR 是德州仪器（TI）推出的一款单路精密仪表放大器（INST AMP），采用 8‑VSSOP 封装，面向对低噪声、高共模抑制和低失调漂移有严格要求的精密信号采集场合。器件通过外接增益元件设置放大倍数，适合桥式传感器、差分微弱信号放大及工业测量等应用。

二、主要技术参数

• 放大器数：单路
• 共模抑制比（CMRR）：110 dB
• 输入偏置电流（Ib）：150 pA
• 输入失调电压（Vos）：40 μV
• 输入失调电压温漂（Vos TC）：350 nV/℃
• 输入失调电流（Ios）：500 pA
• 噪声密度（eN）：8 nV/√Hz @ 1 kHz
• 增益带宽积（GBP）：2 MHz
• 压摆率（SR）：0.9 V/μs
• 静态电流（Iq）：350 μA
• 稳定时间（Settling time）：12 μs
• 电源：单电源 4.5 V ~ 36 V；双电源 ±2.25 V ~ ±18 V（最大电源差 36 V）
• 电源纹波抑制比（PSRR）：120 dB
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃

三、优势与典型应用

INA819 以低噪声（8 nV/√Hz）、高 CMRR（110 dB）与极低失调（40 μV）为主要亮点，适用于：

• 应变计/称重传感器放大
• 差分微弱信号采集（热电偶、光电探测）
• 精密数据采集模块、工业过程控制与电池/电流检测
  在需要长时间稳定测量与高共模电压环境下表现优异。

四、设计与布局建议

• 电源去耦：在芯片电源脚附近放置 0.1 μF 与 1 μF 旁路电容，减小高频纹波与干扰。
• 输入保护与阻抗匹配：对高阻抗源使用防护电阻或缓冲，保持两输入阻抗匹配以免降低 CMRR。
• PCB 布局：输入走线尽量短且靠近芯片，敏感节点加护环/地回流，远离开关噪声源。
• 温漂控制：对精密应用应注意热源隔离，使用低温漂电阻并尽量恒温或进行校准。
• 带宽与速率限制：GBP = 2 MHz、SR = 0.9 V/μs，限制了在高增益下的快速脉冲响应，需根据带宽/阶跃需求选取合适增益与滤波。

五、封装与订购信息

• 品牌：TI（德州仪器）
• 型号与封装：INA819IDGKR，8‑VSSOP（DGK）封装
• 环境与可靠性：工作温度 -40 ℃ ~ +125 ℃，适用于工业级应用。具体订购与库存信息请参考 TI 授权经销商与数据手册。

六、使用注意事项与限制

该器件在低频、低噪声精密测量有明显优势，但在高带宽或要求快速阶跃响应的场合受限于 GBP 与 SR。此外，若输入来源阻抗很高，应关注输入偏置电流（150 pA）带来的偏移误差。最终系统设计请以官方数据手册为准，必要时进行实际电路验证与温度漂移校准。

总结：INA819IDGKR 为注重低噪声、高 CMRR 与低失调漂移的精密差分放大场合提供了一个稳健的单通道解决方案，适合工业与测试测量领域的中低速高精度信号处理。