CL21B225KBYNNNE 产品概述

一、产品简介

CL21B225KBYNNNE 为三星（SAMSUNG）生产的贴片多层陶瓷电容（MLCC），额定电压 50V，标称电容量 2.2µF，公差 ±10%（K），温度特性为 X7R，封装规格为 0805（约 2.0 × 1.25 mm）。此型号适用于对体积与容量有平衡需求的一般去耦、滤波和储能场合。

二、主要电气参数

• 容值：2.2µF（标称）
• 公差：±10%（K）
• 额定电压：50V DC
• 温度系数：X7R（-55°C 至 +125°C，温度变动范围内电容变化在 ±15% 以内）
• 封装：0805（2012 公制）

三、性能要点

• X7R 陶瓷介质在中等温度范围内稳定，适合一般电源去耦与中等频带滤波。
• MLCC 具有低等效串联电阻（ESR）和较低等效串联电感（ESL），适合处理瞬态电流。0805 体积在中等水平，兼顾容量与高频性能。
• 需注意直流偏置效应：在接近额定电压时实际电容会下降，设计时应验证工作电压下的有效电容。

四、应用场景

• DC-DC 转换器输出侧与输入侧去耦
• 微处理器、电源管理 IC 的旁路/去耦
• 音频电路、消费电子、通信设备中的滤波与能量缓冲
• 对高稳定性定时或高精度测量电路不推荐单独使用

五、封装与焊接建议

• 兼容标准回流焊工艺，请遵循厂商推荐的回流曲线以防热应力损伤。
• 布局时尽量靠近 IC 电源引脚以降低寄生感抗；必要时并联小容量低 ESL 电容以改善高频性能。
• 避免 PCB 弯曲与强机械应力，以防器件端部裂纹导致失效。

六、可靠性与使用注意

• 陶瓷电容存在随时间的老化效应与温漂，应在关键应用中考虑老化补偿或预老化处理。
• 存储与贴装前请遵守干燥包装和防潮要求，避免受潮造成焊接缺陷。
• 在对电容值敏感或长期高压工作场合，建议做实际电压与温度下的测试，并留有裕量或选用额定电压更高/更大容量的器件。

如需更详细的电气特性曲线、回流曲线或在特定工作电压下的直流偏置数据，可提供型号要求以查询厂家数据手册。