FDWS86068-F085 产品概述

一、产品简介

FDWS86068-F085 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 通道功率 MOSFET，器件额定漏源电压 100V，连续漏极电流达 80A，采用紧凑的 DFN8 封装。该器件在 VGS=10V、ID=80A 条件下的导通电阻仅为 5.2mΩ，适合对导通损耗和开关性能有较高要求的中高压电源应用。

二、主要参数概览

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• Vdss：100V
• Id（连续）：80A
• RDS(on)：5.2mΩ @ VGS=10V, ID=80A
• Pd（耗散功率）：214W
• VGS(th)：约 3V
• Ciss：2.22nF @ 50V
• Crss（Miller）：19pF @ 50V
• 工作结温：-55℃ ～ +150℃（Tj）
• 封装：DFN8

三、性能亮点与优势

• 低导通电阻：5.2mΩ 极大降低导通损耗，适合高电流路径与低压降要求场合。
• 紧凑封装：DFN8 体积小、热路径短，便于 PCB 密集布板与自动化贴装。
• 低门极-漏极电容（Crss）：19pF 有利于降低 Miller 效应，提高开关稳定性与抗干扰能力。
• 宽工作温度范围：适应复杂环境的工业与车规级应用（需结合系统热设计）。

四、典型应用场景

• 同步整流与降压转换器（DC-DC）
• 开关电源与电池管理系统（BMS）
• 电机驱动与逆变器前端
• PoE、充电器以及高效率功率路径开关

五、设计与使用建议

• 门极驱动：为达到标称 RDS(on)，建议门极驱动电压接近 10V；若使用逻辑电平驱动或 6V 驱动，RDS(on) 将显著增大。
• 驱动与抑制：Ciss=2.22nF 表明门极充放电能量不可忽视，设计驱动器时应考虑驱动功率、门极电阻与 RC 吸收网络以控制开关损耗与过冲。
• 版图与散热：尽管 Pd 标称值较高，实际热性能强烈依赖 PCB 散热铜箔面积与过孔布局。建议在器件下方与附近使用大面积铜箔并根据热仿真优化散热路径。
• 并联使用：若需更低导通阻抗，可并联多颗器件，但需注意每颗器件的电流均衡、寄生电感与布局对开关同步性的影响。

六、典型计算示例

• 导通损耗估算（在持续 80A 时）：Pcond = I^2 × RDS(on) ≈ 80^2 × 0.0052 ≈ 33.3W（仅作为估算，实际因温升和 RDS(on) 随温度增加而变化）。
• 开关损耗：受 Ciss 与 Crss 影响，需结合开关频率、门极驱动速度与吸收网络估算或通过实验测量。

总结：FDWS86068-F085 在 100V/80A 级别提供了极低的导通电阻与紧凑封装，适合需要高效率与高功率密度的电源与电力电子设计。合理的门极驱动与 PCB 散热设计是发挥其性能的关键。