MM1Z13BW 产品概述

一、产品简介

MM1Z13BW 是 JSMSEMI（杰盛微）出品的一款独立式稳压二极管（Zener diode），标称稳压值为 13V，适用于中低功率的电压基准和过压保护场合。器件采用 SOD-123W 小型贴片封装，体积紧凑，适合密集布局的表面贴装电路。该型号在反向工作时具有很低的漏电流和较低的动态阻抗，能够在多种消费电子、工业控制与仪表等应用中提供稳定可靠的基准电压或稳压保护。

二、主要特性

• 稳压值（标称）：13V
• 稳压值范围：12.74V ~ 13.26V（典型公差范围，实际以规格书为准）
• 反向漏电流 Ir：100 nA @ 10V（低电流下漏泄较小，适合高阻抗电路）
• 动态阻抗 Zzt：35 Ω（测试条件下的阻抗指标，反映稳压性能）
• 最大耗散功率 Pd：500 mW（在适当散热情况下的最大耗散）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOD-123W（表面贴装，带极性标识）
• 品牌：JSMSEMI（杰盛微）

三、电气与热参数（要点）

• 最大稳态功率 Pd = 0.5 W，意味着在稳压工况下器件耗散功率不应超过 500 mW，以免引发过温或损坏。
• 由 Pd 与 Vz 可估算出最大允许运行电流：Imax ≈ Pd / Vz = 0.5 W / 13 V ≈ 38.5 mA（这是理论上限，实际使用通常应留有裕量）。
• 极低的反向漏电流（100 nA @ 10 V）使该器件适合用作参考源或高阻抗输入的保护组件。
• 动态阻抗 35 Ω 表明在稳压区电压随电流变化的抑制能力，对于对精度要求中等的应用足够，但不适合作为高精度参考（需低阻抗参考源时应选用专用参考芯片）。

四、封装与机械信息

• 封装形式：SOD-123W 小型表面贴装封装，适合自动贴装与回流焊工艺。
• 尺寸与极性：SOD-123W 封装体积小、散热面积有限，焊盘设计和布局需兼顾热量分散；器件在封装上通常有阴极标识（注意极性以免接反）。
• 安装注意：建议遵循厂商推荐的 PCB 焊盘尺寸和回流曲线，避免过高的回流峰值温度或过长的加热时间。

五、典型应用

• 低功率稳压/基准电压源（取代更大体积的线性稳压器于低电流场景）
• 输入电源过压保护与跨接保护（与串联限流电阻一起使用）
• 电压钳位与浪涌抑制（在不超过功耗限制的瞬态下）
• 仪表与传感器前端的参考或保护电路（利用其低漏电特性）
• 消费电子、小型嵌入式设备的局部稳压场景

六、使用建议与计算示例

使用稳压二极管通常需与串联电阻配合，以控制流经器件的电流并限制耗散功率。常用计算公式：

• 串联电阻 R = (Vin - Vz) / Iz
• 器件耗散 Pd = Vz × Iz（应 ≤ 0.5 W）

示例（设计裕量）：若 Vin = 24 V，期望稳压 Iz ≈ 10 mA，则

• R = (24 V − 13 V) / 10 mA = 1.1 kΩ
• Pd（二极管）= 13 V × 10 mA = 130 mW（远低于 500 mW）
  若考虑最恶劣工作点且不超 Pd，则 Iz,max ≈ 38 mA，计算出串联电阻最小值应使电流不超过该值。实际设计建议留 30%~50% 的功率裕度以提高可靠性。

注意：当负载电流变化时，应保证在任何工况下二极管既不会过载，也能保持足够的稳压电流 Iz 来维持稳压特性。对于精度敏感的应用，应考虑动态阻抗带来的电压漂移并加以修正或选用更低阻抗的参考器件。

七、可靠性与存储建议

• 工作环境温度范围宽（-55 ℃ ~ +150 ℃），但长时间靠近结温上限会加速老化，建议在常温或合理散热条件下使用。
• 存储时应防潮、防静电，遵循一般半导体器件的包装与 ESD 防护规范。
• 在回流焊装配时，建议严格遵从 JSMSEMI 推荐的温度曲线，避免因过热损坏器件。

八、选型要点

• 若应用需要稳压精度高且负载电流变化大，推荐采用低动态阻抗或专用基准源。
• 对空间与成本敏感且需中低功耗稳压或钳位保护的场合，MM1Z13BW 在 SOD-123W 封装下提供了一个平衡的解决方案。
• 留意最大耗散功率与实际工作电流的匹配，并按照 PCB 布局做好散热与焊盘设计。

结语：MM1Z13BW（JSMSEMI）以其 13V 稳压值、低漏电流与小型封装，适合用于多种中低功耗的稳压与保护场合。正确的电路设计与热管理可充分发挥其性能并确保长期可靠运行。