WILLSEMI ESD56241D24-3/TR 产品概述

一、产品简介

ESD56241D24-3/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路单向瞬态抑制器（TVS），封装为 DFN2x2-3L，专为对抗静电放电和雷击浪涌等瞬态过压事件设计。该器件反向截止电压（Vrwm）为 24V，击穿电压为 27.3V，钳位电压约为 39V（在 Ipp=120A、8/20μs 测试条件下），峰值脉冲吸收能力 Ipp 达到 120A（8/20μs），反向漏电流仅 100nA，结电容 Cj 为 800pF，工作温度范围 -40℃ 至 +85℃。符合 IEC 61000-4-5 防护等级，适用于对电源线或接口线的过压保护。

二、主要电气参数解读

• Vrwm = 24V：常态系统电压建议不超过此值，适合 24V 类电源或接口保护。
• Vbr = 27.3V：器件进入雪崩击穿的电压区间，略高于 Vrwm，确保正常工作下不触发。
• 钳位电压 ≈ 39V @ Ipp=120A：在极限脉冲时能将瞬态电压钳制到约 39V，保护下游电路免受高压冲击。
• Ipp = 120A（8/20μs）：短时大电流吸收能力强，可抵抗雷击浪涌或开关瞬态。
• Cj = 800pF：较大的结电容，会对高速差分信号或高频接口造成影响，宜用于电源线或低速信号线保护。
• Ir = 100nA：低漏电适合电池及低功耗系统，减少静态能源损耗。

三、典型应用场景

• 24V 电源总线保护（工业控制、楼宇自控）。
• 电源输入、充电口、适配器接口的浪涌抑制。
• 需要 IEC 61000-4-5 等级浪涌防护的设备。
• 低速或模拟信号线路保护（注意结电容带来的影响），不推荐用于超高速数据线（如 USB3.0、PCIe 等）。

四、PCB 布局与使用建议

• 将器件尽量靠近受保护的连接器或接口放置，以缩短引线寄生感抗。
• 将管脚接地（阴极/阳极取决于单向接法）直接引到大面积接地平面，必要时使用多颗地 vias 提高散热与回流路径。
• 对于高能脉冲，可在 TVS 前增加熔断器、限流电阻或磁珠以分担能量并降低钳位电压。
• 由于 Cj=800pF，若用于数据线应评估对信号完整性的影响；对高速应用考虑选用低容型 TVS。
• 焊接与回流：DFN2x2 小封装，按照厂方推荐的回流曲线和焊盘设计进行，避免过热或焊接缺陷。

五、可靠性与选型要点

• 单向器件适用于明确极性电源线路；若应用存在双向过压，应选用双向 TVS。
• 工作温度 -40℃~+85℃，满足一般工业级环境；如需更宽温度范围，确认器件的温度漂移与老化特性。
• 关注钳位电压与被保护器件的耐压裕度，确保在最大冲击下下游元件不会被破坏。
• 订购信息：型号 ESD56241D24-3/TR，封装 DFN2x2-3L，常见为带卷装（Tape & Reel）出货。

总结：ESD56241D24-3/TR 提供了针对 24V 级电源与低速信号的强力瞬态抑制能力，峰值吸收 120A（8/20μs）且钳位约 39V，封装小巧适合空间受限应用。选型时需综合考虑结电容对信号的影响、系统最大允许电压与 PCB 布局，以达到最佳防护效果。若需要更详细的封装焊盘、热阻及回流信息，请参阅 WILLSEMI 官方数据手册。