FGD5T120SH 产品概述

一、产品简介

FGD5T120SH 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款沟槽型场截止（Field-Stop）IGBT，额定集射极击穿电压 1200V，连续集电极电流 10A，耗散功率 69W。器件为表面贴装型 DPAK 封装，适用于中等功率、高压开关场合，兼顾低导通电阻与快速开关性能。

二、主要电气参数

• 集-射极击穿电压 Vces：1200V
• 集电极电流 Ic（额定）：10A
• 耗散功率 Pd：69W（封装限制）
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：3.6V（Ic=5A，Vge=15V）
• 栅极阈值电压 Vge(th)：2.5V（Ig=5mA）
• 总栅电荷 Qg：6.7nC
• 输入电容 Cies：209pF；输出电容 Coes：11pF；反向传输电容 Cres：2pF
• 开通/关断延迟 Td(on)/Td(off)：4.8ns / 24.8ns
• 导通损耗 Eon：247µJ；关断损耗 Eoff：94µJ
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃（Tj）

三、性能特点

• 沟槽型场截止结构在高压下提供更好的击穿鲁棒性和低漏电特性；
• 较低的总栅电荷（6.7nC）有利于降低栅驱能耗并实现较快开关；
• VCE(sat) 在 5A 时约 3.6V，适合中等电流下的高压开关场景；
• 开关能量与延迟时间平衡，Eoff 明显低于 Eon，有利于降低关断瞬态应力；
• DPAK 表面贴装便于自动化装配，同时需注意散热管理以发挥额定 Pd。

四、典型应用

适合用于离线开关电源（如高压变换器、PFC）、逆变器、UPS、逆变充电系统、太阳能微逆变器及电机驱动等中小功率高压场合。

五、封装与散热建议

DPAK 为小体积 SMD 封装，推荐采用具备较好铜厚和散热通道的 PCB 布局：大面积散热焊盘、多层过孔引入内层散热铜箔，并留意热阻限制以避免器件结温升高影响可靠性。

六、使用与驱动建议

推荐栅极驱动电压接近 15V（与数据条件一致）以获得标称 VCE(sat)。为控制电压应力与振铃，建议在门极串联合适的门阻并并联吸收网络或 TVS 元件，实际门阻值根据系统开关速度与 EMI 要求调整。并联使用时应保证良好温度均匀性和稳流保护。

总结：FGD5T120SH 在 1200V 电压等级下提供平衡的导通损耗与开关性能，适合需要高压耐受与自动贴装生产的中小功率系统。具体选型与布局请参照厂方完整数据手册和应用指南。