型号:

25121WF7503T4E

品牌:UNI-ROYAL(厚声)
封装:2512
批次:26+
包装:编带
重量:-
其他:
-
25121WF7503T4E 产品实物图片
25121WF7503T4E 一小时发货
描述:贴片电阻 2512 750KΩ ±1% 1W
库存数量
库存:
8000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.107
4000+
0.085
产品参数
属性参数值
电阻类型厚膜电阻
阻值750kΩ
精度±1%
功率1W
工作电压200V
温度系数±100ppm/℃
工作温度-55℃~+155℃

25121WF7503T4E 产品概述

一、产品简介

25121WF7503T4E 为 UNI-ROYAL(厚声)系列贴片厚膜电阻,封装规格为 2512(约 6.35 mm × 3.2 mm),标称阻值 750 kΩ,公差 ±1%,额定功率 1 W,允许工作电压 200 V,温度系数 ±100 ppm/℃,工作温度范围 -55℃ 至 +155℃。适用于需要高阻值、高可靠性的贴片电路场合。

二、主要性能要点

  • 阻值:750 kΩ,公差 ±1%,适合精密分压、偏置及高阻网络。
  • 功率:1 W(额定值),但受到工作电压限制(详见下节计算说明)。
  • 最大工作电压:200 V(应以此电压或厂商说明为限)。
  • 温度系数:±100 ppm/℃,温度变化会引起阻值随温度线性漂移。
  • 工作温度:-55℃~+155℃,适应工业级温度循环要求。
  • 结构:厚膜工艺,制造工艺稳定,成本与可用性优良。

三、关键注意事项(电压与功率关系)

尽管器件标称为 1 W,但对于高阻值电阻,功率往往受最大工作电压限制。计算示例:在 750 kΩ 上,达到 1 W 需要的电压为 V = sqrt(P·R) ≈ 866 V,远超器件允许的 200 V;在 200 V 下实际消耗功率约为 P = V^2 / R = 200^2 / 750000 ≈ 0.053 W。因此在系统设计中,应以最大工作电压和实际电压下的耗散为准,避免超过间隙/爬电或电阻体介质极限。

四、应用场景

  • 工业与仪器仪表中的高阻分压、测量前端偏置电路。
  • 通信设备与电源监测中需要高阻值和较好温度稳定性的场合。
  • 表计、传感器接口及高阻滤波网络。
    备注:若系统对低频噪声和长期漂移有严格要求,可考虑金属膜或薄膜电阻作为替代。

五、封装与焊接建议

2512 封装适用于常规回流焊与波峰焊工艺,但建议参考厂商数据表的焊接温度曲线以保证可靠性。PCB 焊盘与间距建议按 IPC 标准或厂商推荐设计,焊盘过小或过大均可能影响散热与焊接质量。存储和装配时避免潮湿、污染和机械应力。

六、可靠性与选型建议

  • 厚膜电阻在长期使用中有一定漂移,若对长期稳定性要求高,建议通过样件长期老化测试验证。
  • 温度系数 ±100 ppm/℃ 在大温差环境下会引起显著阻值变化,需在电路容忍范围内评估温漂影响。
  • 若需承受高电压,应采用并联/串联或选用专用高压电阻产品以满足电压与爬电距离要求。

七、订购与替代

产品编号 25121WF7503T4E 可直接反映封装 2512、工艺(厚膜)、标称阻值与精度等关键信息。订购前建议向供应商确认批次数据、温漂、耐压和出货包装等,以便与设计要求一致。若需要更低噪声或更好温漂,可考虑薄膜/金属膜同阻值替代器件。