UMX3N 双NPN晶体管（SOT-363）产品概述

一、产品简介

UMX3N 是 CJ（江苏长电/长晶）出品的一款双 NPN 小信号晶体管，封装为 SOT-363。器件包含两个独立 NPN 晶体管，面向便携式、射频前端和高速小信号开关应用。器件工艺与封装优化了频率响应与尺寸，使其在高密度表贴电路中具有良好的使用价值。

二、主要电气参数（典型/最大值）

• 晶体管类型：NPN（双管，数量：2）
• 集电极电流 Ic(max)：150 mA
• 集—射极击穿电压 VCEO：50 V
• 耗散功率 Pd：150 mW（单管或封装标称，请参考完整数据手册）
• 直流电流增益 hFE：120 @ Ic=1 mA, VCE=6 V
• 特征频率 fT：180 MHz
• 集电极截止电流 ICBO：100 nA（典型/最大值，随温度上升）
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：400 mV @ Ic=50 mA, Ib=5 mA
• 射—基极击穿电压 VEBO：7 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

（以上参数为关键参考值，设计时请以供应商最新数据手册为准。）

三、性能特点与设计要点

• 高频能力：fT≈180 MHz，适合用于 VHF 及较高频率下的小信号放大或缓冲级。
• 高增益低电流工作：在小电流（1 mA）时 hFE 可达 120，适合低功耗前置放大器。
• 开关能力：支持高达 150 mA 的集电极电流，且在较大电流工作点（50 mA）下可达到 400 mV 的低饱和压（在推荐的基流条件下），适合中小电流开关或驱动。
• 封装与集成：SOT-363 超小型封装利于高密度贴装，但同时热阻较大，需注意热管理与功耗分配。

四、典型应用场景

• 移动设备与便携式电子的射频/高频前端小信号放大。
• 模拟信号缓冲、驱动小继电器或发光元件的开关。
• 数字逻辑接口的电平搬移与驱动电路。
• 功率不大且要求体积小的分立放大器与复用开关阵列。

五、使用与布局建议

• 热管理：单管 Pd 仅 150 mW，SOT-363 热阻高，长时间大电流工作需在 PCB 上增加铜箔散热面积，或限制工作占空比。
• 基极驱动：若用于开关模式，常采用 Ib = Ic/10 的驱动以保证饱和（例如 Ic=50 mA 时 Ib≈5 mA，可得到 ~400 mV VCE(sat)）。
• 偏置与线性放大：在线性放大场合，可选定发射电阻稳定偏流，利用 hFE 在小电流区的高增益特性实现低噪放大。
• 引脚与封装：SOT-363 引脚较小且靠近，请参考器件具体封装和引脚排列图设计 PCB 封装和走线，保证接地和电源去耦良好以降低寄生影响。

六、可靠性与选型注意事项

• 温度影响：ICBO 与 hFE 随温升显著变化，工作在高温条件下需考虑漏电流与偏置漂移。
• 安全余量：设计时应预留电压、电流和功率的安全余量，避免长期在极限条件下工作以延长使用寿命。
• 数据核对：市场上型号标注可能包含后缀或批次代码（如 X3、120-560 等），采购与设计前请向供应商索取并核对完整数据手册与管脚图，确认器件是否为所需双管版本以及封装标识。

如需参考电路示例、器件封装图或完整详细的电气特性曲线，请提供是否需要我为您查找并整理对应的数据手册与参考电路。