型号:

TL084IPT

品牌:ST(意法半导体)
封装:14-TSSOP
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TL084IPT 产品实物图片
TL084IPT 一小时发货
描述:FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz TSSOP-14
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
放大器数四路
增益带宽积(GBP)4MHz
输入偏置电流(Ib)20pA
输入失调电压(Vos)3mV
共模抑制比(CMRR)86dB
压摆率(SR)16V/us
静态电流(Iq)1.4mA
输入失调电压温漂(Vos TC)5uV/℃
输出电流40mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源6V~36V
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)15nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)5pA

TL084IPT 产品概述

一、概述

TL084IPT 是一款四路 FET 输入运算放大器,面向要求低偏置电流、较高压摆率与中等增益带宽的模拟前端设计。器件在单电源6V至36V范围内稳定工作,最大允许电源差为36V,工作温度范围为-40℃至+125℃,封装为14 引脚的 TSSOP,适合对封装密度有要求的板级设计。器件由 ST(意法半导体)系列规范对应的参数,使其在精密信号调理、滤波、仪表放大器前级等场景中表现良好。

二、主要参数

  • 放大器数:四路(Quad)
  • 放大器输入类型:FET 输入
  • 增益带宽积(GBP):4 MHz
  • 压摆率(SR):16 V/μs
  • 输入偏置电流(Ib):约 20 pA
  • 输入失调电压(Vos):典型 3 mV
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):5 μV/℃
  • 输入失调电流(Ios):约 5 pA
  • 共模抑制比(CMRR):86 dB
  • 静态电流(Iq):约 1.4 mA(每放大器)
  • 输出电流能力:最大约 40 mA
  • 噪声密度(eN):约 15 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 工作温度:-40℃ 至 +125℃
  • 封装:14‑TSSOP
  • 单电源供电范围:6 V 至 36 V

三、性能亮点

  1. 低输入偏置与低失调漂移:FET 输入结构带来极低的输入偏置电流(20 pA 级)和较小的失调电压,适合高阻抗传感器接口与微小信号放大。
  2. 较高压摆率与中等带宽:16 V/μs 的压摆率配合 4 MHz 的 GBP,使器件在需要快速瞬态响应的模拟电路(如有源滤波器、缓冲驱动)中能提供较低失真。
  3. 宽电源范围与工业级温度:6–36 V 的单电源工作范围和 -40~+125℃ 的温度等级,利于工业和汽车级别的系统设计。
  4. 良好噪声性能:15 nV/√Hz 的噪声密度在低频段能保持较好信号完整性,适合音频与低频测量场合。

四、典型应用

  • 精密前置放大器:高阻抗传感器(压电、电容式、霍尔等)信号调理。
  • 有源滤波器与积分/微分电路:对瞬态响应与带宽有一定要求的模拟滤波场景。
  • 仪器仪表与采样电路:低偏置、低漂移有利于高精度测量。
  • 信号缓冲与驱动:40 mA 的输出能力可驱动常见被动负载或后级输入。
  • 音频前端:低噪声与较好失真控制,适用通用音频放大任务。

五、封装与引脚注意

TL084IPT 提供 14‑TSSOP 封装,适合板上密集布局。布板时建议:

  • 电源引脚做好去耦(近端放置 0.1 μF 陶瓷与 10 μF 电解或钽电容),降低电源噪声对运放性能的影响。
  • 输入端避免长导线和大寄生电容,必要时加微小的输入并联电容以稳定环路。
  • 输出驱动较大负载时应考虑功率耗散及散热条件。

六、设计与使用建议

  • 在高增益配置下受限于 4 MHz 的 GBP,设计前应计算闭环带宽以避免稳定性问题;需要高速响应和大开环增益的场合可考虑并联或更高速的器件。
  • 对于直流精度要求极高的应用,可结合外部失调校准电路或选择失调更低的匹配器件。
  • 输入保护:虽然 FET 输入偏置低,但对静电和输入过压敏感,必要时加入限流或钳位保护。
  • 源阻抗匹配:高源阻抗会放大输入失调与噪声影响,尽量降低传感器到运放的源阻抗或在输入端用缓冲放大器。

七、总结

TL084IPT 是一款面向通用与精密模拟前端的四路 FET 输入运放,综合了低偏置电流、较高压摆率与中等带宽,适用于传感器接口、有源滤波、仪表放大等多种应用场景。合理的电源去耦与布板、配合对闭环带宽的评估,可以在实际系统中获得稳定且低噪的放大性能。