型号:

CC0805KKX5R5BB106

品牌:YAGEO(国巨)
封装:0805(2012 公制)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CC0805KKX5R5BB106 产品实物图片
CC0805KKX5R5BB106 一小时发货
描述:10µF-±10%-6.3V-陶瓷电容器-X5R-0805(2012-公制)
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.1
3000+
0.0796
产品参数
属性参数值
容值10uF
精度±10%
额定电压6.3V
温度系数X5R

CC0805KKX5R5BB106 产品概述

一、产品基本信息

CC0805KKX5R5BB106 为 YAGEO(国巨)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),标称容量 10 µF,初始允差 ±10%(K),额定电压 6.3 V,介质类型 X5R,封装尺寸 0805(2012 公制,约 2.0 × 1.25 mm)。该型号以小体积实现较大容量,适用于空间受限的移动和消费类电子设备。

二、主要电气特性与注意事项

  • 容值/公差:10 µF ±10%(初始值)。
  • 额定电压:6.3 V DC。
  • 温度特性:X5R,工作温度范围通常为 −55°C 至 +85°C,温度变化引起的容量偏差在 ±15% 左右(依据标准),与 C0G/NP0 相比稳定性较低但容量密度高。
  • 直流偏压效应:高介电常数材料在施加电压时会出现显著电容衰减,0805 封装下的 10 µF 在接近额定电压时可能有较大容量损失,设计时需参考厂商 DC-bias 曲线并预留裕量。

三、应用场景

适用于主流去耦/旁路、大电流瞬态抑制和电源滤波等场合,典型应用包括手机、便携设备、平板、蓝牙/IoT 模块、开关电源输入/输出去耦、PMIC 周边滤波等。在对 ESR/ESL 要求较低、需要高容值且空间受限的场合优先考虑。

四、封装与工艺建议

  • 尺寸:0805(2012 公制),厚度依制造批次略有差异,适合标准贴片流程。
  • 焊接:支持回流焊,建议遵循厂商推荐的回流曲线(峰值温度与保温时间按 JEDEC 规范)。
  • PCB 布局:去耦电容应尽量靠近电源引脚并使用短、粗的走线与过孔,必要时并联低容量、高频电容以优化高频抑制。
  • 机械保护:陶瓷电容易受弯曲应力或焊接后 PCB 弯曲导致裂纹,应避免过度热应力和机械应力集中。

五、选型与替代建议

若系统在工作电压下对实际有效电容有严格要求,应通过 DC-bias 曲线验证;若电容衰减严重,建议改用更高额定电压或更大封装(如 1206/1210)以提高有效容量,或考虑钽电容/固态电解电容作为备选(需权衡 ESR、寿命及成本)。市场上可选用 Murata、TDK、Kemet 等厂商的同级 X5R 0805 10 µF/6.3 V 产品作为替代,注意比对 DC-bias 与封装尺寸。

六、采购与储存提示

常见包装为带载卷盘(Tape & Reel),适合高速贴片生产。建议在原包装中干燥保存,避免长期潮湿、高温环境;贴片前按工艺要求(如有)进行回流焊前预热与焊接。购买时确认料号、规格、批次及厂商数据手册中的 DC-bias、温度特性与尺寸图以确保设计一致性。