型号:

BLM15AG121SZ1D

品牌:muRata(村田)
封装:0402
批次:26+
包装:编带
重量:0.015g
其他:
BLM15AG121SZ1D 产品实物图片
BLM15AG121SZ1D 一小时发货
描述:EMI SUPPRESSION FILTER CHIP INDU
库存数量
库存:
20000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.046
10000+
0.0377
产品参数
属性参数值
阻抗@频率120Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)190mΩ
额定电流500mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

BLM15AG121SZ1D EMI抑制片式电感产品概述

BLM15AG121SZ1D是村田(muRata)推出的高频EMI抑制片式电感,属于其经典BLM系列AG子系列,专为电子设备的电磁干扰(EMI)抑制设计,凭借小封装、宽温适应性与精准阻抗特性,广泛应用于消费电子、无线通信、汽车电子等领域。

一、产品核心定位与应用场景

该产品聚焦高频噪声抑制,针对100MHz频段(通信、射频电路常见干扰频段)实现有效衰减,同时兼顾低损耗直流传输需求。典型应用场景包括:

  • 无线通信模块:WiFi(2.4G/5G)、Bluetooth、LoRa等射频链路的信号滤波;
  • 消费电子终端:智能手机、平板电脑的音频电路、电源输入/输出(VCC)线路;
  • 汽车电子:车载信息娱乐系统、ADAS传感器(摄像头、毫米波雷达)的信号抗干扰;
  • 工业设备:PLC、物联网传感器节点的电源滤波与信号降噪。

二、关键电气参数解析

BLM15AG121SZ1D的参数针对EMI抑制需求精准优化,核心性能如下:

  1. 阻抗特性:120Ω@100MHz(误差±25%)
    100MHz是电子设备常见射频干扰频段,120Ω阻抗确保对该频段噪声的有效衰减;±25%误差范围符合工业级器件批量一致性要求,降低设计风险。
  2. 直流电阻(DCR):190mΩ
    低DCR设计减少直流信号传输损耗,避免电阻发热影响电路效率,适合兼顾噪声抑制与低损耗的场景。
  3. 额定电流:500mA(有效值)
    最大允许通过电流为500mA,实际应用建议降额至80%(≤400mA),避免磁芯饱和导致阻抗下降、噪声抑制失效。
  4. 通道数:1
    单通道设计,可针对性抑制单路信号的共模/差模噪声,适配单一信号链路滤波需求。

三、物理特性与封装说明

产品采用0402封装(英制尺寸,对应公制1005),尺寸约1.0mm×0.5mm×0.5mm,是高密度PCB布局的理想选择,封装特点包括:

  • 表面贴装(SMD)无引线结构,兼容回流焊、波峰焊等常规工艺;
  • 陶瓷磁芯材质,高频特性优异,温度稳定性强,避免磁饱和影响阻抗;
  • 引脚间距紧凑,可在狭小空间实现多路滤波并行布局。

四、环境适应性与可靠性

BLM15AG121SZ1D具备宽温适应性与高可靠性,满足严苛场景需求:

  • 工作温度范围:-55℃~+125℃,覆盖汽车电子(AEC-Q200兼容)、工业设备的温度环境;
  • 环保合规:符合RoHS 2.0、无卤素标准,满足全球市场环保要求;
  • 可靠性验证:通过温度循环(-55℃~125℃,1000次)、湿度试验(85℃/85%RH,1000h)等测试,长期工作稳定性可靠。

五、选型与使用注意事项

  1. 电流降额:实际工作电流需≤400mA(额定电流80%),避免磁芯饱和;
  2. 焊接工艺:回流焊峰值温度≤260℃(时间≤30s),波峰焊控制浸锡深度与时间;
  3. 布局优化:靠近噪声源(如射频发射端)或敏感电路(如MCU、传感器)放置,减少走线长度,避免与高频线路平行;
  4. 静电防护:存储、焊接过程需做ESD防护,避免静电损伤磁芯或引脚。

BLM15AG121SZ1D凭借精准阻抗、小封装与宽温特性,成为高频EMI抑制的高性价比选择,可有效提升设备电磁兼容性(EMC),满足各类抗干扰需求。