型号:

GRM32DR71H335KA88L

品牌:muRata(村田)
封装:1210
批次:26+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GRM32DR71H335KA88L 产品实物图片
GRM32DR71H335KA88L 一小时发货
描述:Capacitor: ceramic; MLCC; 3.3uF; 50V; X7R; ±10%; SMD; 1210
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.667
1000+
0.614
产品参数
属性参数值
容值3.3uF
精度±10%
额定电压50V
温度系数X7R

GRM32DR71H335KA88L 产品概述

一、产品简介

GRM32DR71H335KA88L 是村田(muRata)出品的一款多层陶瓷片式电容(MLCC),标称容量为 3.3 μF,容差 ±10%,额定电压 50 V,介质为 X7R,器件以 SMD 1210 封装提供(1210 约等于 0.12"×0.10",公制约 3.05×2.54 mm)。该型号专为在有限空间内提供较大容值的去耦与储能用途设计,兼顾体积与电气性能。

二、主要特性

  • 容值与精度:3.3 μF,±10%,适合一般电源去耦与滤波需求。
  • 额定电压:50 V,适用中低压电源轨与隔离后端电路。
  • 介电材料:X7R 类(温度范围通常覆盖 -55°C 至 +125°C,温度特性稳定,容量随温度变化有限)。
  • 封装与可靠性:1210 SMD 封装,适合自动贴片与回流焊工艺,具有较好的机械强度与焊接可靠性。
  • 小型高容值:在紧凑 PCB 布局中可提供较高的旁路/储能能力。

三、典型应用

  • 开关电源输入/输出滤波与旁路
  • MCU/FPGA 电源去耦与稳定
  • DC/DC 转换器输出端储能
  • 模拟前端旁路、噪声抑制场合
  • 工业、通信及一般消费电子电源模块(如需车规级请确认是否有相应认证版本)

四、使用与设计注意事项

  • 直流偏置效应:X7R 在高电场下会出现显著的容量下降,3.3 μF@50 V 在接近额定电压时实测容量可能降低,设计时应参考器件数据手册中的 DC-bias 曲线并留有裕量。
  • 温度与频率依赖:容量随温度与工作频率变化,关键电路应查看频率特性与温度系数。
  • PCB 布局:用于去耦时尽量靠近电源引脚放置、保持最短回流路径;采用厂商推荐的焊盘尺寸与过孔布局以降低机械应力。
  • 回流与焊接:遵循村田推荐的回流温度曲线,避免超温或多次重复大温差热循环。
  • 机械应力防护:焊接时避免在基板弯曲处放置大尺寸 MLCC;必要时使用阻焊或支撑结构减轻热机械载荷。

五、可靠性与寿命建议

  • X7R 属于二类介质,长期使用中可能有容量漂移与老化(请参考厂商说明)。
  • 对于高可靠性或关键系统(如汽车、医疗),建议验证器件是否满足相应的认证标准并进行加速应力测试(热循环、湿热、机械震动等)。
  • 在高应力环境下可考虑适当降额(例如降额使用电压或并联多个器件)以提高稳定性与寿命。

六、封装与采购信息

  • 封装:1210(约 3.05 × 2.54 mm),SMD。
  • 零件号:GRM32DR71H335KA88L(请以村田最新目录/代理报价为准)。
  • 采购时建议确认:完整数据手册、DC-bias/频率/温度特性曲线、包装方式(卷带数量)、以及是否符合 RoHS/其他合规性要求。

总结:GRM32DR71H335KA88L 以其在 1210 封装中提供 3.3 μF/50 V 的较高容值,适用于电源去耦、滤波与能量缓冲等场景。选型时请重点参考村田数据手册中的 DC-bias、温度与频率特性,并在 PCB 布局与焊接工艺上遵循厂商推荐,以确保电气性能与长期可靠性。