DRV8432DKDR 产品概述

一、产品简介

DRV8432DKDR 是 TI（德州仪器）系列的四半桥功率驱动器，集成功率 MOSFET，面向直流电机与步进电机驱动应用。器件可灵活配置为两路直流电机驱动或驱动一个两相步进电机，适合对体积、成本和集成度有要求的电机控制系统。

二、主要电气参数

• 控制电压（Vctrl）：10.8V ～ 13.2V（典型工作在12V附近）
• 电机驱动电压（Vm）：0V ～ 52.5V，支持宽范围电源输入，适配多种电机电压等级
• 导通电阻（Rds(on)）：约 220 mΩ（单只 MOSFET），决定了功耗和温升特性
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃，可满足工业级环境要求

三、封装与热管理

• 封装：36‑HSSOP，适合中等功率密度应用。
  因 Rds(on) 为 220 mΩ，器件在较大电流下会产生显著 I^2·R 损耗，设计时需重视 PCB 散热路径、焊盘面积及底层铜厚，必要时配合散热片或热过孔改善热流。

四、典型应用场景

• 两相步进电机驱动（打印机、打标机、位置控制）
• 双路直流电机驱动（小型机器人、风扇、执行器）
• 自动化设备与运动控制系统，需要中等功率、高集成度驱动方案的场合

五、设计要点与注意事项

• 电源滤波与旁路：Vm 与控制电源均需近端大容量旁路电容抑制瞬态，减小电源震荡与 EMI。
• 布线与铜箔：功率回路短且粗，散热铜箔与热过孔设计可显著降低结温。
• 热耗与电流限制：按最大工作电流计算 MOSFET 损耗（P≈I^2·Rds），并留裕量避免长期过热；建议在系统设计中加入过流/过温保护策略。
• 电磁兼容（EMC）：开关瞬态较大时注意采取滤波、走线对称与屏蔽等措施。
• 接口兼容性：确认控制逻辑电平和引脚功能与主控 MCU/FPGA 匹配，合理规划使能、PWM 与故障反馈信号。

六、优势总结

DRV8432DKDR 以宽电压范围、高集成度与工业级温度等级为特点，适用于需要在有限 PCB 面积内实现双路或步进驱动的中小功率应用。合理的热设计与电源滤波是发挥其性能的关键。