ESDH4V5P1 产品概述

一、产品简介

ESDH4V5P1 是 CJ（江苏长电/长晶）推出的一款单向静电放电（ESD）保护二极管，封装为 DFNWB-3L（2.0 × 2.0 mm）。器件针对工业级 ESD 与浪涌防护设计，适用于对低反向工作电压保护要求高的电源与信号线。

二、关键参数

• 极性：单向
• 反向截止电压 Vrwm：4.5 V
• 击穿电压 Vbr：≈4.6 V
• 钳位电压（典型）：20 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：275 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：5.6 kW
• 反向电流 Ir：1 μA
• 结电容 Cj：1200 pF（较大）
• 通道数：单路
• 符合标准：IEC 61000-4-5（浪涌）、IEC 61000-4-2（静电放电）

三、产品特性

• 低工作电压、窄击穿特性，能在低电压电路上实现可靠钳位。
• 高峰值脉冲承受能力，适合对抗瞬态浪涌与静电冲击。
• 低漏电流，有利于不增加待机损耗。
• 较高结电容，不适合对高速差分信号（如 USB3、HDMI）直接使用。

四、典型应用

• 手机、平板、电池管理系统的低压电源防护。
• USB2.0、音频线、按键/触摸接口等低速信号保护（需评估电容影响）。
• 工业控制、仪表、白色家电等需要抗ESD与雷击脉冲的输入端保护。

五、封装与布局建议

• DFNWB-3L（2×2 mm）体积小，便于贴片安装，推荐靠近受保护端口布置以减小走线感应。
• 接地应尽可能短且低阻抗，增加回流过孔以提高散热与抑制共模环路。
• 对于高频敏感线路，考虑使用低电容型 TVS 或在器件前后配合滤波网络。

六、选型与注意事项

• 若被保护线是高速差分信号，Cj=1200 pF 会显著影响信号完整性，应选用低电容替代品。
• 验证 Vrwm 与系统工作电压匹配，留有足够裕量以避免误触发。
• 按照制造商推荐的回流焊曲线和湿敏等级进行 PCB 装配与储存管理。

七、合规与可靠性

器件通过 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-5 相关测试，能满足常见的静电与浪涌防护需求。实际设计中建议在系统级进行 ESD/浪涌试验验证，以确保整机可靠性。