SN74HC132QPWRQ1 产品概述

SN74HC132QPWRQ1 为 TI（德州仪器）出品的四通道双输入 NAND 施密特触发器，采用 14-TSSOP 封装，适用于对输入波形去抖、整形与抗干扰要求较高的中高速逻辑电路。器件属于 HC 系列，兼顾低功耗与较强驱动能力，适合电池供电及工业级环境使用。

一、主要参数速览

• 通道数：4（四路双输入 NAND 施密特触发器）
• 工作电压：2.0 V ～ 6.0 V
• 静态电流 (Iq)：典型 40 μA（低静态功耗）
• 输出驱动：拉/灌电流 IOH/IOL = 25 mA
• 输入门槛：VIH = 1.5 V ～ 4.2 V，VIL = 0.5 V ～ 1.8 V（随 VCC 变化）
• 输出电平：VOH = 2.5 V ～ 5.9 V，VOL = 1 mV ～ 400 mV
• 传播延迟：tpd = 18 ns（在 VCC=4.5V，CL=10pF 时）
• 工作温度：-40 ℃ ～ +125 ℃

二、功能与特性

• 施密特触发输入对缓慢边沿或抖动信号有良好整形能力，提高系统抗干扰性能。
• 宽电源电压范围支持 2V 的低压系统及常见 3.3V/5V 总线兼容。
• 典型低静态电流适合便携式及低功耗应用；25 mA 的输出能力可直接驱动中等负载或下一级逻辑。

三、典型应用场景

• 按键去抖与人机接口信号整形
• 信号整形、脉冲延展与门控逻辑
• 低压嵌入式系统与混合电平接口
• 工业控制、传感器前端抗抖处理

四、设计注意事项

• 确保 VCC 在推荐范围内，低于 2 V 或超过 6 V 可能导致功能异常或损坏。
• 输入/输出不得超过器件规定的电流限值（IOH/IOL ≤ 25 mA），必要时用缓冲器或限流电阻保护。
• 布局上建议靠近芯片放置 0.1 μF 去耦电容，地线短且回流路径清晰以降低噪声与延迟波动。
• 若驱动电容性负载或长线，注意上升/下降沿导致的瞬态电流与振铃，必要时在输出端并联小电阻或 RC 阻尼。

五、封装与可靠性

14‑TSSOP 封装体积紧凑，适合 PCB 密集布局。器件工业级温度范围（-40 ℃ ～ +125 ℃）满足多数工业与车规近端应用，但如用于严苛热环境，应评估封装散热与功耗。

总结：SN74HC132QPWRQ1 以其施密特输入特性、宽供电范围与低静态电流，适合对信号整形和抗干扰有要求的中低速数字电路。设计时注意电源去耦、IO 电流限制及布线规范，可获得稳定可靠的系统表现。