NSI8221W1-DSWVR 产品概述

一、产品简介

NSI8221W1-DSWVR 是 NOVOSENSE（纳芯微）推出的一款通用数字隔离器，提供 2 通道（正向 1 通道、反向 1 通道）双向隔离功能，适用于对地或桥接型隔离场景。器件支持最高 150 Mbps 的数据速率，默认输出为高电平，传播延迟 tpd 典型为 15 ns，工作温度范围宽（-55 ℃ 至 +125 ℃），为工业级与车规级应用提供稳定的信号隔离方案。

二、主要性能亮点

• 隔离电压 Vrms：5000 V（长期可靠的通道间电气隔离）
• CMTI（共模瞬态抗扰度）：250 kV/µs，能在高共模干扰环境下保持数字信号完整性
• 最大数据速率：150 Mbps，满足高速 SPI、UART、PWM 与串行并行信号传输需求
• 工作电压范围：VCCA/VCCB 双端均支持 2.5 V 至 5.5 V，兼容多种逻辑电平
• 默认输出高电平，便于上电态设定与系统故障时的安全策略
• 封装：SOW-8（8-SOIC，0.295" / 7.50 mm 宽），适合自动贴装与空间受限 PCB 设计

三、技术参数一览

• 正向通道数：1；反向通道数：1（共 2 通道）
• 传播延迟（tpd）：约 15 ns
• 隔离强度：5000 Vrms
• CMTI：250 kV/µs
• 最大数据速率：150 Mbps
• 工作电压：VCCA / VCCB = 2.5 V ～ 5.5 V
• 工作温度：-55 ℃ ～ +125 ℃

四、典型应用场景

• 工业现场总线隔离（RS-485、SPI、UART 等）
• 电机驱动与伺服控制器的逻辑侧与功率侧隔离
• 电源开关或逆变器的栅极信号隔离与反馈链路
• 多域系统接口隔离（分布式测量、隔离采样与保护）
• 医疗与楼宇自动化等需高压隔离与高共模抑制的场合

五、设计与使用建议

• 每个 VCCA/VCCB 侧靠近器件放置旁路电容（如 0.1 µF）以抑制瞬态噪声；必要时并联较大容量的电容提高低频去耦性能。
• 保持隔离区的爬电距离与距离，根据 5000 Vrms 的隔离等级在 PCB 设计中预留足够的间隙与通道分隔。
• 在高速链路上，必要时可在信号线上串联小阻（例如 22–47 Ω）以减少反射与振铃；对差分或时钟类信号注意阻抗匹配。
• 未使用的输入端应明确拉至已知电平或按数据手册建议处理，以避免因悬空引起的误动作；考虑器件默认输出高电平的系统行为。
• 在强共模场合应用时，留意布线与地回路，尽量减少共模干扰注入接地端口。

六、封装与可靠性

NSI8221W1-DSWVR 提供 SOW-8（300 mil / 0.295"）封装，兼容常见的自动贴装流程。器件的宽温范围与高隔离电压使其适合在恶劣工业环境长期工作。设计时参考厂方可靠性与焊接温度曲线以保证封装性能。

七、选型注意事项

选择本型号时应确认系统对数据速率（≤150 Mbps）、延迟（≈15 ns）及默认输出电平的要求；若需更高 CMTI 或更高速率，请参考同系列其他型号或与供应商沟通。使用前建议参考完整数据手册与典型电路图，按照推荐的 PCB 布局与去耦策略进行设计，以发挥器件最佳性能。