TDK CGA2B3X7R1H104KT0Y0S 片式陶瓷电容产品概述

一、产品基本定位与属性

TDK CGA2B3X7R1H104KT0Y0S是一款多层片式陶瓷电容（MLCC），属于TDK常规系列中的小型化通用型元件，核心面向需要中等容值、温度稳定性及高密度贴装的电子电路设计。该型号采用0402（英制封装，对应公制1005）小型封装，适配消费电子、工业控制、通信等领域的紧凑电路布局，是市场应用广泛的核心被动元件之一。

二、核心技术参数详解

该型号参数与用户需求完全匹配，关键指标如下：

参数项 具体参数 技术说明 封装形式 0402（1005） 长×宽=1.0mm×0.5mm（典型值） 标称容值 100nF（104） 三位数字法：10×10⁴pF=100nF 容值误差 ±10%（K） 符合IEC标准的K级精度要求 额定电压 50V DC 直流工作电压上限 温度系数 X7R 温度范围-55℃~+125℃，容值变化≤±15% 典型厚度 0.5mm（±0.1mm） 贴装高度适配常规PCB设计 损耗角正切（tanδ） ≤2.5%（1kHz，25℃） 高频损耗低，适合滤波/耦合场景 漏电流（IR） ≤1μA（50V DC，25℃） 绝缘性能优异，减少能量损耗

三、X7R介质材料的技术优势

X7R是该型号的核心介质材料，相比其他介质具有平衡的性能优势：

1. 温度稳定性适中：在工作温度范围（-55℃+125℃）内，容值变化不超过±15%，远优于Y5V（±20%-82%）等低稳定性介质，可满足多数工业/消费电子的宽温适应性需求；
2. 容值密度与成本平衡：比NP0/C0G（高稳定但容值密度低）的容值密度高3~5倍，同时成本低于高容值的X5R/X6S，性价比突出；
3. 直流偏置特性可控：虽存在偏置下容值下降（典型50V下下降≤30%），但在中等电压电路中影响可通过设计补偿，适合电源滤波、信号耦合等场景。

四、典型应用场景

该型号的参数特性使其适配多领域核心应用：

1. 消费电子：智能手机、平板电脑、智能穿戴的电源滤波（如DC-DC模块输出）、音频信号耦合，0402封装满足小型化需求；
2. 工业控制：PLC、伺服驱动器的信号调理电路、电源滤波，50V额定电压覆盖工业低压电源（24V/48V），X7R稳定性适配车间宽温环境；
3. 通信设备：基站射频前端、路由器的电源模块滤波，低损耗特性减少信号干扰，提升传输质量；
4. 汽车电子：车载辅助驾驶传感器（如毫米波雷达）的信号电路，若为AEC-Q200认证批次，可直接用于车规级场景。

五、可靠性与品质保障

TDK作为MLCC行业龙头，该型号具备成熟的可靠性设计：

1. 工艺成熟度：采用高精度多层叠层技术，电极采用银钯合金（Ag-Pd），耐氧化、耐焊接热（260℃回流焊3次无失效）；
2. 标准合规性：符合IEC 60384-14、JIS C 5102等国际/国内标准，部分批次通过AEC-Q200汽车级可靠性测试；
3. 长期稳定性：高温寿命测试（125℃，50V DC，1000小时）后，容值变化≤±5%，漏电流≤初始值的2倍，满足长周期使用需求。

六、应用设计注意事项

1. 直流偏置补偿：设计时需考虑X7R介质在直流偏置下的容值下降，可适当预留10%~20%的容值余量；
2. 焊接工艺要求：推荐采用回流焊（温度曲线符合J-STD-020），避免手工焊的局部过热损伤元件；
3. 温度范围限制：需确保工作环境温度在-55℃~+125℃以内，超出范围会导致容值漂移或性能下降。

该型号凭借小型化、高可靠性及平衡的性能参数，成为多领域电子设计的优选被动元件，可有效降低电路体积并提升信号稳定性。