型号:

PESD5V0U1BB-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD5V0U1BB-N 产品实物图片
PESD5V0U1BB-N 一小时发货
描述:TVS二极管 PESD5V0U1BB-N SOD-523(SC-79)
库存数量
库存:
4780
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.119
5000+
0.0975
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)3A
峰值脉冲功率(Ppp)40W@8/20us
击穿电压5.5V
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容2.7pF

PESD5V0U1BB-N 产品概述

一、简介

PESD5V0U1BB-N 为 BORN(伯恩半导体)推出的一款双向 TVS 二极管,封装为 SOD-523(SC-79),专为敏感信号线的静电放电(ESD)与脉冲浪涌保护而设计。器件为单通道、双向结构,适用于需要双向钳位的高速数据和接口线路保护。

二、主要参数

  • 反向截止电压 (Vrwm):5 V(反向工作电压)
  • 击穿电压:≈5.5 V
  • 钳位电压:13 V(典型)
  • 峰值脉冲电流 (Ipp):3 A
  • 峰值脉冲功率 (Ppp):40 W(8/20 μs)
  • 反向电流 (Ir):100 nA(典型)
  • 结电容 (Cj):2.7 pF
  • 通道数:单路(1 通道)
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 规范

三、关键特性与优势

  • 低结电容(2.7 pF),对高速信号影响小,适合 USB2.0、I2C、SPI、UART 等接口的保护;
  • 双向结构可在正负极性交变的信号线上提供对称保护,无需外加耦合电路;
  • 低泄漏电流(100 nA),可满足电池供电与低功耗系统的要求;
  • 40 W(8/20 μs)冲击能力与 IEC 标准兼容,适用于常见工业与消费级瞬态干扰场景;
  • SOD-523 超小封装,适合空间受限的移动设备、便携终端与紧凑型 PCB 设计。

四、典型应用场景

  • 智能手机、平板和可穿戴设备的数据与按键接口保护;
  • USB、以太网、串行通讯等外部接口的入线保护;
  • 工业与消费电子中 MCU、传感器模块、音视频信号线的静电与脉冲防护;
  • 需要高密度布板与低寄生电容的高速信号链路。

五、使用与布局建议

  • 器件应尽量靠近受保护的连接器或 PCB 边缘放置,缩短走线并减小环路面积;
  • 在地线附近放置旁通或多点接地以利能量分散,避免长回流路径增加钳位电压;
  • 对于更高能量的浪涌场景,可考虑并联更大功率的浪涌抑制器或在前端加入限流元件;
  • SOD-523 为小型封装,贴装与回流焊工艺要求参照厂商工艺建议,关注热量集中与焊盘设计。

六、注意事项

PESD5V0U1BB-N 为瞬态保护器件,不适合作为直流大电流或持续浪涌的主保护元件。器件参数(如钳位电压)与测试条件有关,实际系统保护效果受 PCB 布局、接地策略与外部串联阻抗影响,设计时应做系统级验证。

总结:PESD5V0U1BB-N 以其低电容、低泄漏、双向钳位与小体积封装,为各类需要高速信号保护和空间受限场合提供了高效的 ESD/浪涌保护方案。