型号:

AD8510ARZ-REEL7

品牌:ADI(亚德诺)/LINEAR
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
AD8510ARZ-REEL7 产品实物图片
AD8510ARZ-REEL7 一小时发货
描述:FET输入运放 20V/us 100uV 25pA 8MHz SOIC-8
库存数量
库存:
99
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
17.13
1000+
16.67
产品参数
属性参数值
放大器数单路
增益带宽积(GBP)8MHz
输入偏置电流(Ib)25pA
输入失调电压(Vos)900uV
共模抑制比(CMRR)108dB
压摆率(SR)20V/us
静态电流(Iq)2.5mA
输入失调电压温漂(Vos TC)5uV/℃
输出电流54mA
工作温度-40℃~+125℃
双电源(Vee ~ Vcc)-15V~-5V;5V~15V
最大电源宽度(Vdd-Vss)30V
噪声密度(eN)8nV/√Hz@1kHz

AD8510ARZ-REEL7 产品概述

一、概述

AD8510ARZ-REEL7 是 Analog Devices / Linear 推出的单路 FET 输入运算放大器,面向对低偏置电流、高速摆率和低噪声有要求的模拟前端应用。器件在宽温度范围内稳定工作,适用于精密信号调理、传感器接口及数据采集等场景。封装为 SOIC-8,卷盘包装(REEL7)便于贴片生产与大批量装配。

二、主要特点

  • 单路 FET 输入结构,典型输入偏置电流 25 pA,适合高阻抗源驱动。
  • 增益带宽积(GBP)8 MHz,压摆率(SR)20 V/µs,兼顾带宽与瞬态性能。
  • 输入失调电压 (Vos) 约 900 µV,温漂仅 5 µV/℃,便于精密增益设置。
  • 共模抑制比(CMRR)高达 108 dB,差模性能优异。
  • 静态电流 Iq 2.5 mA,输出电流能力可达 54 mA。
  • 噪声密度 eN ≈ 8 nV/√Hz @1 kHz,低噪声等级适合微小信号放大。
  • 工作温度范围 -40 ℃ 至 +125 ℃,最大供电电压差 30 V;支持双电源 ±5V~±15V 或单电源 5V~15V。

三、典型应用

  • 精密传感器信号调理(热电偶、应变片、电化学传感器等)
  • 数据采集前端与仪表放大器驱动
  • 主动滤波与积分/微分电路
  • 低功耗便携式设备和工业控制接口

四、电气参数要点(便于快速选型)

  • 放大器数:单路
  • GBP:8 MHz
  • 输入偏置电流 Ib:25 pA
  • 输入失调电压 Vos:900 µV(典型)
  • Vos 温漂:5 µV/℃
  • CMRR:108 dB
  • 压摆率 SR:20 V/µs
  • 静态电流 Iq:2.5 mA
  • 输出电流:54 mA
  • 噪声密度:8 nV/√Hz @1 kHz
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 电源:双电源 -15V ~ -5V 或 5V ~ 15V,最大电源宽度 30V

五、封装与订购信息

  • 型号:AD8510ARZ-REEL7
  • 品牌:ADI / Linear
  • 封装:SOIC-8,卷盘(REEL7)包装,适合贴片生产与自动化装配。
  • 建议在采购时确认批号、交期及是否为工业级温度范围。

六、使用建议与注意事项

  • 对于高阻抗源,请保证输入引脚附近良好隔离与低漏电路径,避免焊剂或指纹带来额外偏置电流。
  • 电源旁路必须充分,建议在近引脚处放置 0.1 µF 与 10 µF 的并联电容以抑制瞬态和振铃。
  • 在苛刻的低噪声应用中,注意布局与接地,信号线尽量短并使用屏蔽或缓冲。
  • 由于 GBP 与 SR 有限,放大倍数较高时应关注闭环稳定性与相位裕量,必要时加入补偿网络。

如需进一步的电气特性曲线、典型应用电路或 PCB 布局参考,可参阅 ADI 官方数据手册或联系器件供应商获取原厂应用说明。