M95010-RMN6TP 产品概述

一、产品简介

M95010-RMN6TP 为 ST（意法半导体）生产的 1Kbit 串行 SPI EEPROM，采用 8-SO 封装，适用于对非易失性存储有高可靠性和长寿命要求的场合。器件支持 1.8V 到 5.5V 宽电源电压范围，工作温度 -40℃ 至 +85℃，可在多种系统中作为配置参数、校准数据、序列号或小容量数据日志的持久存储器件使用。

二、主要规格

• 存储容量：1 Kbit（128 × 8 或等效组织）
• 接口类型：SPI（标准串行外围接口）
• 最大时钟频率（fc）：20 MHz
• 工作电压：1.8 V ~ 5.5 V
• 写周期时间（Tw）：典型 5 ms
• 数据保持时间（TDR）：200 年（典型/保证）
• 写入寿命：400 万次（擦写/写周期次数）
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：8 引脚 SO（SO-8）

三、特点与优势

• 宽电压范围（1.8V–5.5V）：适配 1.8V 低功耗系统及传统 3.3V/5V 系统，便于电源设计与兼容。
• 高速 SPI 通信：最高支持 20 MHz 时钟，满足对快速读取或配置加载的需求。
• 超长数据保持与高耐久性：200 年数据保持与高达 400 万次写入寿命，适合长期可靠性要求的工业与仪表领域。
• 小体积封装：SO-8 便于表贴安装与系统集成，利于批量生产与自动化贴装。
• 常用控制引脚（CS、SCK、SI、SO、WP、HOLD）：支持软硬件写保护与暂停通信功能，增强系统安全性与灵活性。

四、典型应用

• 工业控制器与可编程逻辑：存储设备参数、固件配置与校准常数。
• 消费电子与家电：保存用户设置、启动参数与序列号。
• 通信设备与网络设备：保存配置文件和设备身份信息。
• 便携式/电池供电终端：低电压兼容性利于延长电池寿命并简化电源管理。

五、使用建议与注意事项

• 写入时序：遵循器件写入流程，写周期内避免断电或复位，以免造成写入失败或数据损坏；写周期典型为 5 ms，应使用状态寄存器轮询或等待该时间完成后再进行下一次写操作。
• 电源旁路：在 VCC 引脚附近加 0.1 µF 陶瓷旁路电容，抑制瞬态噪声，保证可靠通信。
• 写保护与保持：合理使用 WP 与 HOLD 引脚实现外部写保护和通信挂起功能；在不使用时建议拉高/拉低至推荐电平以避免误触发。
• PCB 布局：SPI 高速信号线尽量短且屏蔽，SCK/SDO/SDI 与 CS 信号避免与大电流回路平行走线，减小干扰。

六、封装与引脚概要

封装为标准 8-SO（SO-8），引脚通常包括：CS（片选）、SO（串行输出）、SI（串行输入）、SCK（串行时钟）、GND、WP（写保护）、HOLD（挂起）、VCC。具体引脚排列及电气参数请参阅 ST 官方数据手册以获得完整的引脚图与时序表。

总结：M95010-RMN6TP 以其宽电压、长寿命、高可靠性及标准 SPI 接口，适合各种对小容量非易失性存储有高可靠性要求的应用场景，在工业与消费类产品中均具有良好的适配性与成本效益。