CRS20I40B(TE85L,QM

CRS20I40B (TE85L, QM) 产品概述

概要

CRS20I40B是一款由东芝（Toshiba）制造的肖特基二极管，属于TE85L和QM系列。以下是对此产品的详细介绍，包括其关键参数、特性和应用场景。

基础参数

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 包装: 卷带（TR）
• 零件状态: 有源
• 二极管类型: 肖特基（Schottky）
• 电流 - 平均整流 (Io): 2A
• 速度: 快速恢复 <= 500ns，> 200mA（Io）
• 不同 Vr、F 时电容: 62pF @ 10V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOD-123F
• 供应商器件封装: S-FLAT（1.6x3.5）
• 工作温度 - 结: 150°C（最大）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 520mV @ 2A
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 40V

产品描述

品牌和封装

CRS20I40B是东芝公司生产的一款高性能肖特基二极管，采用SOD-123F封装。这种封装形式适合表面贴装，尺寸为S-FLAT（1.6x3.5），便于在现代电子设备中使用。

电气特性

• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40V，表明该二极管可以承受高达40V的反向电压，这使得它在许多高压应用中非常有用。
• 电流 - 平均整流 (Io): 2A，表示该二极管可以处理高达2安培的平均整流电流，适用于需要高电流处理能力的应用。
• 速度: 快速恢复 <= 500ns，> 200mA（Io），这意味着该二极管具有快速恢复时间，特别是在高电流条件下，这对于许多高速切换应用是非常重要的。
• 正向电压 (Vf): 520mV @ 2A，较低的正向电压降意味着在相同的工作条件下，能耗更低，从而提高系统的整体效率。

热特性

• 工作温度 - 结: 150°C（最大），这是一个重要的参数，表明该二极管可以在高温环境下稳定运行，这对于一些工业和汽车电子应用尤其重要。

容量和泄漏电流

• 不同 Vr、F 时电容: 62pF @ 10V，1MHz，这个参数对于评估二极管在高频应用中的性能非常重要。
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100µA @ 40V，低的反向泄漏电流确保了在反向偏置状态下能耗最小化。

应用场景

CRS20I40B由于其优异的性能特点，广泛应用于以下几个领域：

电源管理

在电源管理系统中，CRS20I40B可以作为整流二极管或保护二极管使用。其快速恢复时间和低正向电压降使得它特别适合用于高效率的开关电源设计。

汽车电子

由于其高温工作能力和高耐压性，CRS20I40B非常适合用于汽车电子系统，如启动系统、充电系统等。

工业控制

在工业控制系统中，CRS20I40B可以用于驱动器、逆变器以及其他需要高可靠性和高性能的应用场景。

通信设备

在通信设备中，尤其是需要处理高频信号的场景下，CRS20I40B的低电容和快速恢复时间使得它成为一个理想的选择。

总结

CRS20I40B是一款高性能肖特基二极管，具有快速恢复时间、低正向电压降、低反向泄漏电流和高耐压性等优异特性。这些特点使得它广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制以及通信设备等多个领域。对于需要高效率、高可靠性和高性能的电子系统设计，CRS20I40B是一个非常值得考虑的选择。