MC14044BDR2G 产品概述

一 概要

MC14044BDR2G 是安森美（ON Semiconductor）生产的四通道三态锁存器，属于 4000B CMOS 系列，封装为 16-SOIC。工作电压范围宽（3V 到 18V），环境温度范围 -55℃ 到 +125℃，适合需要低功耗、宽电压和工业级温度范围的数字系统中做短期数据保持与总线隔离。

二 主要特性

• 输出类型：三态（可主动驱动高、低或高阻态以实现总线共享）
• 通道数：4 路独立锁存通道
• 工作电压：3V ~ 18V，兼容低压与传统 5V 系统
• 拉／灌电流：IOH / IOL = 8.8 mA（典型驱动能力，注意非大电流驱动器）
• 传播延迟：tpd ≈ 60 ns（适用于中低速逻辑）
• 温度范围：-55℃ ~ +125℃（工业级）
• 系列：4000B CMOS，特点为输入阻抗高、静态功耗低

三 电气参数要点与使用注意

• 由于 IOH/IOL 仅 8.8 mA，器件不适合驱动大电容负载或功率负载，适合驱动 CMOS 输入或小信号逻辑门。
• 三态输出用于总线多主、多从结构，使用时需正确控制输出使能（OE）以避免总线冲突。
• 在 3V~18V 宽电压下工作时，逻辑阈值与速度会随 VCC 变化，应参考具体 VCC 下的性能曲线进行时序设计。
• 推荐在 VCC 旁并联 0.1 µF 陶瓷去耦电容，靠近器件 VCC 与 GND 引脚，以抑制瞬态噪声并维持稳定工作。

四 典型应用场景

• 微处理器/FPGA/MCU 总线隔离与数据锁存
• 多路数据切换、暂存与驱动缓冲（低速外设接口）
• 工业控制系统中需宽电压兼容的逻辑隔离单元
• 与 4000B 系列其他器件搭配构建低功耗数字子系统

五 封装与可靠性

MC14044BDR2G 提供 16-SOIC 封装，适合自动贴片工艺。工业级温度（-55℃~+125℃）与宽电压特性使其适合苛刻环境。焊接与回流工艺应遵循供应商的温度曲线，防止过热损坏封装或内部结构。

六 选型与工程建议

• 若系统需更高驱动能力或更低延迟，考虑使用驱动电流更大或速度更快的缓冲/锁存器。
• 设计 PCB 布局时，把 VCC/GND 回路做短且粗，去耦电容靠近器件引脚放置。
• 避免在三态输出被多个设备同时置为输出的场景，必要时用外部限流或总线仲裁电路保护器件。
• 在关键时序应用中，基于 60 ns 的传播延迟做好总线和锁存控制的相位规划。

综上，MC14044BDR2G 是一款适用于低速至中速、需要宽电压与工业温度支持的四通道三态锁存器，适合用于总线隔离与数据暂存，但不适用于高电流、高速驱动场合。