型号:

UG6KB100

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:D3K
批次:-
包装:未知
重量:1.3g
其他:
-
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UG6KB100 一小时发货
描述:整流桥 1.1V@4A 1kV 5uA@1000V 6A D3K
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产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)1.1V@4A
直流反向耐压(Vr)1kV
整流电流6A
反向电流(Ir)5uA@1000V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A
工作结温范围-55℃~+150℃
类型单相整流

UG6KB100 产品概述

一、概述

UG6KB100 是 BORN(伯恩半导体)出品的一款单相桥式整流器,封装为 D3K。该器件针对高电压整流场景设计,具有 1kV 的直流反向耐压、低正向压降和极低的反向泄漏电流,适用于需要高耐压、小体积且可靠的整流场合,如高压电源、工业设备及测试仪器等。

二、主要电气参数

  • 正向压降(Vf):1.1 V @ If = 4 A(低 Vf 有助于降低整流损耗和发热)
  • 最大直流反向耐压(Vr / VRRM):1000 V
  • 平均整流电流(Io):6 A(连续整流电流能力)
  • 反向电流(Ir):5 μA @ 1000 V(极低泄漏,适合高压静态应用)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):150 A(1/2 周期或单次浪涌条件下)
  • 工作结温范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
  • 类型:单相整流桥(四二极管桥结构)
  • 封装:D3K(标准桥式整流器封装,便于 PCB 安装与焊接)

三、主要特性与优势

  • 高耐压:1000 V 反向耐压满足大多数高压整流需求。
  • 低损耗:1.1 V 的正向压降在较大整流电流时可显著降低功耗和发热。
  • 低泄漏:5 μA 的反向电流在高压静态条件下有利于减少漏电与漂移误差。
  • 强抗浪涌能力:150 A 的峰值浪涌电流保证启动、充电或短时过载情况下的可靠性。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃ 的工作结温适应严苛环境与工业级应用。

四、典型应用场景

  • 高压直流电源和整流模块
  • 工业控制与驱动电路中的高压整流
  • 测试与测量设备(高压采样)
  • 电池充电与电源滤波(需考虑功率与散热)
  • 医疗、通讯和安防设备中对高耐压、低泄漏的需求场合

五、安装与热管理建议

  • D3K 封装便于在 PCB 上固定与焊接,安装时建议在管脚和封装周围保留足够的铜箔面积以利散热。
  • 在连续 6 A 工作条件下,应评估结到环境的热阻并设计合理的散热路径(如加大 PCB 散热铜皮、使用热导胶或散热片)。
  • 尽量避免长期在接近上限结温(+150 ℃)下工作,以延长器件寿命。
  • 对于频繁或高幅值浪涌场合,建议在电路中增加浪涌抑制器件(如 TVS)或限流元件以保护整流桥。

六、使用注意事项

  • 焊接时遵循推荐的温度和时间曲线,避免过热导致封装或内部焊接点损伤。
  • 安装前注意防静电措施,避免静电击穿二极管结。
  • 选型时应综合考虑最大反向电压、平均电流、峰值浪涌以及散热条件;若长期在极限工况工作,应选择余量更大的型号或采取额外散热/保护措施。
  • 对于精密测量系统,若反向泄漏对测量影响显著,请在电路上采取漏电补偿或选择更低漏电特性的器件。

七、包装与订购

产品型号:UG6KB100
品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:D3K
订购时请确认所需数量与交期,并与供应商确认包装形式(卷带/托盘/散装)及相关合格证书(RoHS、出厂测试报告等)。

如需进一步的典型特性曲线、封装尺寸图或热阻/功率耗散数据,可联系技术支持获取数据手册及应用参考。