KTD1304 产品概述

一 特性概览

KTD1304 是一款面向低功耗、高频应用的 NPN 小信号晶体管，采用 SOT-23 小封装，由 BORN（伯恩半导体）推出。器件具有较高的特征频率 fT（650 MHz）、适中的直流电流增益 hFE（60，测试条件 Ic=4.0mA、VCE=10V），以及较低的集电极漏电流与宽工作温度范围，适合移动、通信与各类小信号放大/开关电路。

二 主要电气参数

• 晶体管类型：NPN（双极结晶体管，BJT）
• 最大集电极电流 Ic：4 mA（推荐工作电流范围应不超过此值）
• 集射极击穿电压 VCEo：25 V
• 耗散功率 Pd：225 mW（典型条件下，详细降额请参见厂方热特性曲线）
• 直流电流增益 hFE：60（Ic=4.0 mA，VCE=10 V）
• 特征频率 fT：650 MHz（高频放大能力良好）
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA（低漏电利于高阻输入）
• 集-射饱和电压 VCE(sat)：约 500 mV（饱和导通时指标）
• 射-基击穿电压 Vebo：3 V
• 工作温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃

以上参数为典型/额定值，设计时请参考完整数据手册以获得测试条件与极限值。

三 封装与引脚说明

封装：SOT-23（小型三引脚表面贴装）。常见的引脚排列请以原厂资料为准；若无特殊说明，典型的 SOT-23 NPN 引脚为 Base / Emitter / Collector（请在设计 PCB 及布局前核对样片或官方资料）。

四 典型应用

• 小信号放大器：因 fT 较高，可用于 VHF 及宽带前端的小信号放大与增益级
• 高频开关与驱动：用于射频切换、混频或小功率驱动场合
• 电平转换与缓冲：低漏电与稳定增益有利于低电流电平检测与接口电路
• 通信设备、便携式终端以及传感器前端的信号处理模块

五 设计与使用建议

• 功耗与散热：SOT-23 的 Pd=225 mW 为典型环境值，工作时应保证良好散热与合理的环境温度，必要时根据厂方降额曲线进行温度补偿设计。
• 偏置与放大倍数：在放大应用中，以 Ic≈1~4 mA 区间工作可获得稳定的 hFE 与频率响应；高增益需求时注意输入/输出匹配与偏置稳定性。
• 开关应用：若要求晶体管进入饱和导通，给足基极电流（一般取 Ib≈Ic/10 作参考），但须注意 VCE(sat)≈500 mV，会影响低压系统的导通损耗。
• 耐压与反向保护：射基击穿电压较低（Vebo=3V），在反向或浪涌情况下应加防护措施以避免损坏基极－发射极结。

六 可靠性与选型提示

KTD1304 适合对体积、频率与低功耗有要求的应用场景。选型时若需要更大集电极电流或更高功耗，应考虑更大封装或不同型号；若更高线性或更低 VCE(sat) 为目标，可比较同类小信号器件的数据表。最终设计以实际电路测试为准，并参照 BORN 官方数据手册完成引脚、热特性与极限参数核验。

如需原厂数据表、封装图或典型应用电路，可提供后续资料以便更精确的电路匹配与布局建议。