型号:

P6KE6.8A

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:DO-15
批次:25+
包装:盒装
重量:0.4g
其他:
-
P6KE6.8A 产品实物图片
P6KE6.8A 一小时发货
描述:未分类
库存数量
库存:
1980
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.194
2000+
0.175
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5.8V
钳位电压10.5V
峰值脉冲电流(Ipp)58.1A
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
击穿电压6.45V
反向电流(Ir)1mA
类型TVS

P6KE6.8A 产品概述

一、主要参数与含义

  • 型号:P6KE6.8A(BORN 伯恩半导体)
  • 类型:TVS(二极管瞬态抑制器),极性:单向
  • 反向截止电压 Vrwm:5.8 V(最大工作电压,建议工作电压不超过此值)
  • 击穿电压(Vbr):6.45 V(典型值,表示进入雪崩导通区的电压)
  • 钳位电压 Vc:10.5 V(在峰值脉冲电流下限定电压)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:58.1 A(10/1000 µs 波形下的峰值电流)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(按 10/1000 µs 测试波形)
  • 反向漏电流 Ir:1 mA(在 Vrwm 条件下的典型泄漏电流)
  • 封装:DO-15(轴向引线,便于通孔安装)

二、产品特点

P6KE6.8A 为单向 TVS,专为抑制瞬态过电压和吸收高能脉冲设计。其主要特点包括:

  • 高能吸收能力:600 W(10/1000 µs),适合雷击感应和线路感性切换产生的高能脉冲。
  • 明显钳位性能:在大脉冲(≈58 A)下钳位至约10.5 V,能有效保护后端电路免受高电压冲击。
  • 单向结构:在正常工作时呈高阻(漏电 ~1 mA),在正向过压时迅速进入导通,适合直流电源/单极信号线保护。
  • 轴向 DO-15 封装:便于通孔安装、波峰或手工焊接,机械强度高,适用于板端或线缆端防护。

三、典型应用

  • 5 V 电源轨保护(USB、工业控制、嵌入式板卡):Vrwm 5.8 V 与 5 V 系统匹配良好,用于吸收外来瞬态冲击。
  • 通讯端口与接口防护(隔离前端、接口模块):在接口附近并联以防静电放电或感应过压。
  • 电源输入端与线缆终端:放置于进线端或连接器旁,防止雷击感应产生的高能脉冲进入设备内部。
  • 工业控制与仪表:对电磁兼容(EMC)和浪涌保护要求高的场合提供成本效益好的防护方案。

四、封装与安装建议

  • DO-15 轴向引线适合通孔安装,应尽量靠近被保护的端口或连接器,缩短导线和走线长度以降低感应电感。
  • 为吸收更大能量或分散热量,可在布局上为 TVS 周围保留足够的铜面积做散热。
  • 单向器件应按标注极性正确安装:阴极(通常带环)接向电源正极(待保护点),阳极接地或公共参考点。
  • 焊接时遵循合适的温度曲线,避免超过器件的最高封装温度以保证可靠性。

五、选型与注意事项

  • 确认系统工作电压与 Vrwm 匹配,Vrwm 应略高于最大稳定工作电压以避免误触发;P6KE6.8A 的 Vrwm 为 5.8 V,适合 5 V 级系统。
  • 留意泄漏电流 Ir(1 mA):对超低功耗电路需评估是否可接受。
  • 验证钳位电压是否在被保护器件可承受范围内(10.5 V 钳位可能仍高于某些精密器件的耐压)。
  • 若需承受重复或更长脉冲,应参考器件在不同波形(8/20 µs、10/1000 µs)下的寿命与温升特性,必要时并联或选择更高能量等级的 TVS。

六、可靠性与测试建议

  • 在最终系统中进行实测浪涌注入(参考 IEC/EN 标准)以验证保护效果与后端器件的安全。
  • 对长期应用,注意环境温度对漏电和钳位电压的影响;高温会增大漏电并降低能量吸收能力。
  • 建议在样机阶段做多次冲击测试和热循环测试,评估焊点与封装可靠性。

七、总结

P6KE6.8A(BORN)是面向 5 V 及相近电压系统的单向 TVS 保护器件,具有良好的能量吸收和钳位特性,适用于电源轨、接口和线缆端的浪涌防护。选型时应综合考虑 Vrwm 匹配、钳位电压对后端元件的影响、漏电容忍度以及实际脉冲波形与能量需求,合理布局与散热设计可显著提升保护效果与长期可靠性。