BWF801N 气体放电管 (GDT) 产品概述

一、产品简介

BWF801N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款表面贴装型气体放电管（GDT），封装尺寸为 5.0 × 4.2 mm，双极结构，专为电涌与雷击脉冲保护设计。器件体积小、极间电容低，适合直接贴装于印制板以实现高能量浪涌保护。

二、主要参数与特性

• 极数：2
• 直流击穿电压 (Vdc)：800 V（典型）
• 冲击击穿电压 (Vimp)：1.6 kV
• 脉冲放电电流：3 kA（峰值）
• 极间电容：1 pF（极低，利于高速信号线路）
• 精度：±30%
• 工作温度范围：-40 ℃～+85 ℃
• 封装：SMD，5 × 4.2 mm，厚度约 4.2 mm
  这些特性使 BWF801N 在需兼顾高能量承受能力与低寄生电容的场合表现优异。

三、典型应用场景

适用于通信接口（如以太网、PoE）、监控摄像头、基站与传输线缆保护、电源输入端、工业控制与楼宇自控等对雷击/浪涌防护要求高且对信号完整性敏感的场合。

四、设计与安装要点

• 推荐贴装在近源侧（接口或连接器附近），最短引线实现最低阻抗回路。
• 低极间电容（1 pF）适合高速数据线，但与 TVS、滤波器等组合使用可获得更优保护响应。
• SMD 封装兼容常规回流焊工艺，但需遵循厂家焊接曲线与抗热处理建议以避免机械/热应力。
• 放电后若经历过大能量冲击，应进行功能检测并视情况更换器件。

五、可靠性与储存

在额定温度范围内长期可靠，避免潮湿环境长期暴露以免影响封装性能。运输与贴装过程中注意防静电与机械冲击，建议按供应商资料进行储存与检验。

六、选型建议

若应用需兼顾高脉冲放电能力（3 kA）与低寄生电容（1 pF）且工作电压接近 800 V，则 BWF801N 是合适选择。对于更高响应速度或不同触发电压需求，可结合 TVS 二极管或选用不同触发电压等级的 GDT 以优化保护策略。

如需完整电气特性曲线、焊接规范或可靠性测试数据，请联系 BORN 或参考官方数据手册以获得详细技术参数与应用指导。