MURF860G 产品概述

一、产品简介

MURF860G 为安森美（ON Semiconductor）推出的独立式快恢复/高效整流二极管，适用于中高压开关电源与功率整流场合。器件标称直流反向耐压（Vr）为600V，额定整流电流8A，封装为TO-220FP-3（常见TO-220系列平面封装），便于安装散热与板端连接。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：1.5V @ 8A
• 额定整流电流（If）：8A（直流）
• 直流反向耐压（Vr）：600V
• 反向电流（Ir）：10μA（典型/最大条件需参考数据手册）
• 反向恢复时间（Trr）：60ns（典型快恢复特性）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：100A（单次浪涌抗冲击能力）
• 工作结温范围（Tj）：-65℃ ~ +175℃

三、性能特性与优势

• 快恢复特性（Trr≈60ns）：在开关转换时反向恢复损耗低，适合开关电源与高频整流应用，可降低开关损耗与电磁干扰。
• 较低正向压降：1.5V@8A 在同等电流下具有可控的导通损耗，有助于提高整机效率，但在大电流长期工作下需关注导通损耗带来的发热。
• 良好的浪涌承受能力（Ifsm=100A）：能承受启动或故障时的短时冲击电流。
• 宽工作结温范围：适应工业级高温环境，具备较强的可靠性余量。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输出整流或反并联整流
• 工业电源、适配器、板载整流器
• 电机驱动、逆变器中的回收/续流二极管
• UPS、LED驱动、充电器等需耐高压与快恢复特性的场合

五、热设计与使用建议

• 导通时的瞬时功率损耗可按P ≈ Vf × If 估算；在8A工况下约为12W，需配合合适散热器或PCB散热设计以控制结温。
• TO-220FP-3 封装便于使用螺栓安装至散热片，建议使用绝缘垫与合适的螺栓扭矩，保证热阻与电隔离要求。
• 在高频开关应用中，反向恢复可能引起尖峰电压或振荡，必要时配合RC吸收、阻尼网络或软开关策略降低应力与 EMI。

六、可靠性与注意事项

• 反向漏电（Ir）随温度上升而增加，长时间高温工作需留足余量并做好结温监控。
• 并联使用以提升电流能力时应注意电流分配不均，推荐采用低值均流电阻或并联匹配措施。
• 在容易产生浪涌或短路的系统中，结合合理熔断保护或电流限制，避免超出Ifsm造成损坏。

七、选型建议

若目标应用强调低正向压降（尤其在持续高电流下）或更低开关损耗，可对比低压降肖特基或更大电流等级的快恢复器件；若工作频率较高、要求极低反向恢复，则应考虑专用快速恢复或SiC/SiC肖特基方案。总体而言，MURF860G 在600V/8A级别提供了平衡的快恢复性能与工业级耐热特性，适合多数中高压整流与续流场合使用。若需更详细的电气特性曲线与封装机械图，请参考安森美官方数据手册。