型号:

MUR180ERLG

品牌:ON(安森美)
封装:轴向
批次:24+
包装:编带
重量:0.733g
其他:
-
MUR180ERLG 产品实物图片
MUR180ERLG 一小时发货
描述:通用二极管 独立式 1.75V@1A 800V 1A DO-41
库存数量
库存:
4620
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.539
5000+
0.499
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.75V@1A
直流反向耐压(Vr)800V
整流电流1A
反向电流(Ir)10uA@800V

MUR180ERLG 产品概述

一、产品简介

MUR180ERLG 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款轴向独立式整流二极管,属于 MUR 系列家族。该器件在直流整流和开关电源回路中表现可靠,具有高反向耐压与较低的正向压降,适合在中高电压场合做整流、续流或钳位保护。典型规格为:正向压降 Vf = 1.75 V @ 1 A,直流反向耐压 Vr = 800 V,平均整流电流 1 A,反向漏电流 Ir = 10 µA @ 800 V,封装为轴向 DO-41(独立式)。

二、主要特性

  • 高耐压:800 V 额定反向耐压,适用于高压整流场合。
  • 低正向压降:在 1 A 条件下正向压降约 1.75 V,有利于降低导通功耗。
  • 低反向漏电:在额定耐压下反向电流小(约 10 µA),提高静态效率与可靠性。
  • 轴向 DO-41 封装:便于手工焊接与通孔安装,适合小批量或维修替换。
  • 独立式封装:单体器件,便于布局与散热设计。

三、电气参数概览(用户关心的关键项)

  • 正向压降(Vf):1.75 V @ IF = 1 A(典型工作点,实际值随温度与电流变化)。
  • 反向耐压(Vr):800 V(绝对最大值,应留有安全裕度)。
  • 平均整流电流:1 A(连续整流工作电流,受散热条件限制)。
  • 反向漏电流(Ir):10 µA @ 800 V(典型/最大范围请参照原厂数据表)。

提示:具体的脉冲电流能力、反向恢复时间(trr)、结温对参数的影响及热阻等,请在设计时参阅安森美完整版数据表以获取精确参数。

四、典型应用

  • 开关电源(SMPS)整流与续流二极管
  • 功率适配器与电池充电器输出整流
  • 逆变器与电机驱动的续流保护
  • 高压电源、钳位与保护电路
  • 通用工业与消费电子中的高压整流场合

五、封装与机械安装建议

DO-41 轴向独立式封装便于通孔 PCB 安装和手工焊接。设计时注意:

  • 留足焊盘与散热铜箔,提高器件热散能力;在高平均电流应用中推荐使用散热片或热铜区域。
  • 避免长期在高结温下工作,留有额外热裕度(设计时目标结温通常不超过额定上限)。
  • 焊接温度与时间应遵循制造商焊接指南,防止因过热影响可靠性。

六、使用注意事项

  • 在高压或高温环境中,应考虑反向漏电随温度增加的影响与绝缘措施。
  • 由于器件为独立式通孔元件,机械应力(弯折、振动)可能影响引脚与封装的长期可靠性,应在固定与支撑上做好处理。
  • 对于需要极低反向恢复损耗或极高频率开关的场合,应核对反向恢复时间参数,必要时选用专门的超快恢复或肖特基器件。

七、可靠性与替代选型建议

MUR180ERLG 以其良好的耐压与合理的正向压降在通用高压整流应用中具备性价比优势。若系统对正向损耗或开关损耗要求更高,可考虑肖特基二极管(更低 Vf,但耐压和反向漏电权衡)或标注为超快恢复(trr 更小)的型号;若需要更大持续电流,应选择更高电流等级的封装或并联设计,并注意均流与热管理。

八、订购与技术支持

在选择与采购前,建议参考安森美官网或授权经销商提供的最新数据手册和器件规范,确认环境条件下的性能边界、封装尺寸图与可靠性级别。如需替代型号或详细热分析,可联系安森美技术支持或供应链工程师获取进一步建议与样品测试方案。

如需我把本概述转换为带有参数表或与具体电路示例的技术说明(含 PCB 布局建议),我可以继续补充。