MUR140RLG 产品概述

一、主要特性

MUR140RLG 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款快恢复、高效率整流二极管，轴向 DO-41 封装。其关键电气参数为：正向压降 Vf = 1.25V（I F = 1A），直流反向耐压 V R = 400V，平均整流电流 I O = 1A，反向电流 I R = 5µA（V R = 400V），反向恢复时间 T rr = 75ns，非重复峰值浪涌电流 I fsm = 35A，工作结温范围宽：-65℃ 至 +175℃。这些参数体现了该器件在中低功率开关电源和整流场合的高效能与可靠性。

二、性能解读

1. 低正向压降（1.25V@1A）意味着在导通时功耗较小，有助于提高系统效率并降低热量生成。
2. 75ns 的反向恢复时间属快恢复类别，适用于开关频率较高但对超高速恢复要求不极端的场合，如中低频段的开关电源、续流与整流电路。
3. 5µA 的低漏电流保证了高压下的低静态损耗，利于提高待机效率和减少发热。
4. 35A 的峰值浪涌能力可应对启动或短时过载产生的冲击电流，但不替代专门的大功率浪涌器件。

三、典型应用场景

• 开关电源（整流/续流二极管）
• 电源适配器与充电器
• 功率因数校正（PFC）前端整流（中等功率）
• 功率模块与逆变器的保护/整流回路
• 需要轴向封装的电路板或手工焊接装配场合

四、封装与热管理建议

DO-41 轴向封装便于穿孔板和手工焊接，但散热能力有限。若在接近 1A 连续工作且环境温度偏高的场合，应考虑：

• 提供充分的散热路径或铜箔散热面积
• 避免多器件密集布置导致热堆积
• 必要时选用更大功率封装或加装散热措施

五、选型与注意事项

在高频、高效率系统中，若要求更短的反向恢复时间或更低的正向压降，可比较超快恢复或肖特基二极管；若工作电流或浪涌更大，应选择更高额定电流/更大浪涌能力的型号。实际设计时，请参考安森美官方数据表，依据结温、频率与波形对器件的电气参数进行热与电应力的综合评估。