型号:

RS222XK

品牌:RUNIC(润石)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RS222XK 产品实物图片
RS222XK 一小时发货
描述:运算放大器 0.18V/us 双路 500kHz SOIC-8
库存数量
库存:
4000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.625
4000+
0.58
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)500kHz
输入失调电压(Vos)800uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2.9uV/℃
压摆率(SR)180V/ms
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)10pA
噪声密度(eN)77nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)90dB
静态电流(Iq)18uA
输出电流27mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.5V~5.5V

RS222XK — RUNIC 双路轨到轨运算放大器概述

一、产品简介

RS222XK 是润石(RUNIC)推出的双通道轨到轨输入/输出运算放大器,封装为 SOIC-8,专为低功耗、低频宽、多用途模拟前端设计。器件支持单电源供电(2.5V ~ 5.5V)并能在宽温度范围(-40℃ ~ +125℃)下稳定工作,适合电池供电与工业级应用。

二、主要特性

  • 双路放大器,SOIC-8 封装,便于电路板布局与批量生产。
  • 轨到轨输入与输出,最大电源电压差 Vdd–Vss=5.5V,可充分利用单电源电压摆幅。
  • 增益带宽积 (GBP): 500 kHz,适合低中频率的信号处理。
  • 压摆率 (SR): 180 V/ms(等于 0.18 V/μs),对大幅度阶跃响应需考虑该限制。
  • 极低输入偏置电流 Ib: 1 pA,适用于高阻抗传感器接口。
  • 输入失调电压 Vos: 800 μV,温漂 2.9 μV/℃,在低频精密测量中表现良好。
  • 噪声密度 en: 77 nV/√Hz @1 kHz,适合低噪声要求但非超低噪声领域。
  • 静态电流 Iq: 18 μA(典型),低功耗设计有利于便携设备。
  • 输出驱动能力约 27 mA,满足常见负载驱动需求。
  • 共模抑制比 CMRR: 90 dB,抗共模干扰能力较好。

三、性能参数要点

  • 供电与范围:单电源 2.5V–5.5V;建议在接近极限电压时进行性能评估(失调与摆幅受限)。
  • 带宽与闭环增益:闭环带宽 ≈ GBP / 闭环增益,例如在增益为 10 时带宽约 50 kHz。
  • 大信号响应:SR=0.18 V/μs,处理 1 V 步变约需 5.6 μs,设计滤波与采样时应考虑此项限制。
  • 精度与漂移:Vos=800 μV 与 Vos TC=2.9 μV/℃,适合需要中等精度且温度稳定性的测量前端。
  • 高阻抗信号源:1 pA 的极低输入偏置电流非常适合电容式传感器、电极测量与高阻抗分压器。

四、典型应用场景

  • 传感器接口:温度、湿度、压力、化学检测等高阻抗传感器的前置放大器。
  • 便携测量仪器:低功耗单电源供电体系下的信号调理与滤波。
  • 仪表放大器与差动放大:利用高 CMRR 实现抗干扰差分测量(需配合外部电阻匹配)。
  • 主动滤波器与缓冲:有利于音频或控制回路中对低频信号的处理。
  • 采样保持与多路复用前端:输入失调与低噪声特性可改善测量精度。

五、工程注意事项

  • 电源退耦:尽管静态电流低,仍建议靠近电源脚放置 0.1 μF 陶瓷退耦电容以抑制噪声与瞬态。
  • 输入范围与输出摆幅:实际可用摆幅受负载与供电限制,轨到轨并不等于在极限电压下保持全部性能,需验证输出驱动能力。
  • 带宽与稳定性:在高闭环增益或容性负载下可能需并联小电阻或补偿网络以保证稳定。
  • 温度补偿:若用于精密测量,考虑对温漂进行校准或设计温度补偿措施。
  • PCB 布局:高阻抗输入应采用短回路、守护环和保护电阻以防污染与漏电导致输入偏差。

RS222XK 以低功耗、低输入偏置和轨到轨特性为主要卖点,适合对输入阻抗与能耗有较高要求的通用模拟前端设计。若需进一步的电气图、典型应用电路或封装管脚图,可提供详细数据手册或参考电路。