1N5348BG 产品概述

1N5348BG 是 ON Semiconductor（安森美）提供的一款独立式稳压二极管，标称稳压值 11V，适用于需要中低功率稳压保护和参考的电路。该器件以 DO-14 轴向玻璃封装（封装代码 017AA-2）提供，具有较低的动态阻抗和较小的漏电流，能在有限的功耗范围内提供稳定的反向电压参考。

一 主要特性

• 标称稳压值（Vz）：11V（典型值）
• 稳压值允许范围：10.45V ~ 11.55V（出厂规格区间）
• 反向漏电流（Ir）：5 µA @ 8.4V（低电流下的泄漏特性）
• 耗散功率（Pd）：5W（最大耗散，在规定的热条件下）
• 小信号阻抗（Zzt）：2.5 Ω（有利于改善稳压时的动态响应）
• 封装：DO-14（轴向玻璃封装），封装代号 017AA-2
• 品牌：ON（安森美）

二 电气参数详解

1N5348BG 的稳压特性适合用作 11V 电压参考或浪涌保护元件。稳压值的公差范围 10.45V–11.55V 表明在工艺和温度变化下器件电压的上下限。Zener 的小信号阻抗 Zzt = 2.5 Ω 表明在规定测试电流附近，器件对电流变化的电压抑制能力较好，动态阻抗小有助于提高稳压精度。

反向漏电流 Ir = 5 µA（在 8.4V 条件下测量）意味着在未达到稳压电压时，漏电流较小，这对高阻抗电路或电池供电系统很重要。需要注意的是，漏电流会随电压和温度上升而增加，设计时需考虑温度系数。

三 热与功耗考虑

器件的最大耗散功率为 5W，这一数值是基于特定环境和散热条件下的最大额定耗散。实际使用中需注意：

• Pd = Vz × Iz：在稳压工作点，二极管耗散的功率等于稳压电压乘以流过的稳压电流。举例：若稳压电压为 11V，则理论上通过的稳压电流在不超过 5W 耗散时约为 5W / 11V ≈ 0.455 A，但实际连续允许电流应参考器件的热阻和实际安装条件，通常应大幅低于此理论极限并采用适当散热措施。
• 热阻与环境：轴向 DO-14 封装的散热主要依靠引脚和周围空气对流，若需长期靠近 5W 工作，必须提供良好空气流通或通过金属支架/散热片改善热散逸。典型电路中采用小于额定 Pd 的工作点以保证可靠性。
• 温漂影响稳压值：锗稳压二极管的温度系数会导致稳压电压随温度变化，设计时应根据工作温度范围评估电压漂移。

四 封装与机械特性

DO-14 轴向玻璃封装（017AA-2）对机械强度和绝缘性能有利，常见于通用轴向元件布局。玻璃封装便于视觉检查焊接质量和外观。引脚适用于通孔安装或手工焊接，但需要注意焊接时间和温度，避免长时间高温损伤封装或内部接点。

五 典型应用场景

• 稳压参考：用于小功率电压参考与基准源（需配合限流或分压电路）。
• 电源保护：作为过压吸收或浪涌钳位元件，保护下游电路免受短暂高压冲击。
• 信号稳压：在传感器供电或模拟电路中提供稳定偏置电压。
• 工业与消费电子：适用于各种需要 11V 稳压保护或参考的设备设计。

六 选型与替代建议

选择 1N5348BG 时应确认系统的最大工作电流及散热条件，若需要更高功耗能力或表面贴装封装，可考虑其它型号或功率更高的稳压二极管。若对稳压精度或温漂有更高要求，可寻找低温度系数或精密基准芯片替代。替代器件时，重点对比稳压电压、功耗、动态阻抗和漏电流等关键参数。

七 储存、焊接与检验建议

• 储存：避免潮湿、高温环境，存储温度保持在制造商建议范围内以防封装老化。
• 焊接：轴向引线器件可手工焊接，建议短时间加热并使用合适的焊锡温度，避免过热导致玻璃封装裂纹或内部接触不良。
• 检验：出厂和生产验收时可测量稳压点电压与漏电流以判定批次一致性；焊后应进行功能测试，检查在设计工作电流下的稳压能力和温升是否满足要求。

总结：1N5348BG 是一款典型的 11V、5W 级别独立稳压二极管，适合中低功率稳压、浪涌保护与电压参考场合。合理的电流限制与散热设计能够确保器件在长期工作中的稳定性与可靠性。若对具体工作点或环境有更严苛要求，建议参考 ON Semiconductor 的完整数据手册以获取详细测试条件和热特性曲线。