SIDR626LDP-T1-RE3 产品概述

一、主要参数

SIDR626LDP-T1-RE3 为 VISHAY（威世）出品的 N 沟道功率 MOSFET，关键规格如下：漏源耐压 Vdss = 60V；标称导通电阻 RDS(on) = 2.1 mΩ（Vgs = 4.5V）；额定耗散功率 Pd = 125W；门极阈值 Vgs(th) ≈ 2.5V（Ic=250µA）；总栅极电荷 Qg = 135 nC（Vgs=10V）；输入电容 Ciss = 5.9 nF，输出电容 Coss = 1.34 nF，反向传输电容 Crss = 60 pF；工作温度范围 -55℃ 至 +150℃；封装为 PowerPAK® SO-8。另有文档中出现的电流标注（如 45.6A/2.4A）与厂方不同条件下的额定值相关，设计时请以完整 datasheet 为准。

二、性能亮点

• 低电阻、高电流：2.1 mΩ 的低导通电阻在 4.5V 驱动下能显著降低导通损耗，适合高电流路径应用。
• 中等栅极电荷：Qg = 135 nC（10V）提示需要较强驱动能力以实现快速开关，但也提供较好的开关稳定性。
• 宽工作温度与高耗散能力：高达 125W 的耗散能力与 -55~150℃ 的温度等级满足严苛散热和工业级环境要求。
• 低寄生感抗封装：PowerPAK SO-8 提供更低的封装电感与热阻，有利于高频切换和热管理。

三、封装与热特性

PowerPAK® SO-8 封装在板级散热、低环路电感方面优于传统 SO-8，适合直接安装在双面或多层 PCB 的散热平面上使用。实际温升、功率耗散和电流能力受 PCB 铜厚、焊盘面积及空气流动影响，设计时应考虑充分的散热铺铜与热过孔。

四、典型应用

• 同步整流与 LLC / 全桥 / 半桥开关管
• 服务器、电信与高密度 DC–DC 转换器
• 电机驱动与功率管理模块
• 开关电源、负载开关与逆变器前端

五、设计与使用建议

• 驱动器选择：由于 Qg 较大，建议使用能提供高速、大电流脉冲的门极驱动器，并配合合适的门阻控制开关速度以平衡 EMI 与开关损耗。
• 布局与回路：尽量缩短电流回路、加厚敷铜与使用多过孔改善散热和降低电感。
• 热管理：在高平均功率应用中评估 PCB 热阻并考虑外部散热措施。
• 安全余量：核对 SOA、脉冲电流与单脉冲能量吸收能力，必要时加入限流或吸收网络。

六、订购与资料

品牌：VISHAY（威世）；封装：PowerPAK® SO-8。为保证正确选型与设计，请参考厂方完整 datasheet、封装图与 PCB 推荐焊盘，以及实际应用中的热测与开关波形。