型号:

SMA6J58A-TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:SMA(DO-214AC)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMA6J58A-TR 产品实物图片
SMA6J58A-TR 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SMA6J58A-TR SMA(DO-214AC)
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5000+
0.586
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)58V
钳位电压121V
峰值脉冲电流(Ipp)6.7A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)4kW@8/20us
击穿电压71.2V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+175℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS

SMA6J58A-TR(ST)产品概述

一、产品简介

SMA6J58A-TR 是意法半导体(ST)推出的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),封装为SMA(DO-214AC)。该器件专为针对静电放电(ESD)和浪涌冲击的瞬态能量吸收与钳位而设计,能在短时大电流冲击下保护敏感的下游电路,常用于电源轨、数据线和信号接口的过压保护。

二、主要参数

  • 极性:单向
  • 反向截止电压(Vrwm):58 V
  • 击穿电压(Vbr):71.2 V
  • 钳位电压(Vcl):121 V(对应峰值脉冲条件)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):6.7 A(波形 8/20 µs)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):4 kW(波形 8/20 µs)
  • 反向漏电流(Ir):1 µA(在 Vrwm 条件下)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +175 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(静电放电)标准
  • 封装:SMA(DO-214AC)
  • 类型:TVS(二极管型瞬态抑制器)

三、主要特性与优势

  • 高能量吸收能力:在标准8/20 µs浪涌波形下,器件可承受4 kW峰值功率和6.7 A峰值脉冲电流,适合抑制典型雷击和开关浪涌。
  • 有效钳位:在冲击条件下钳位电压约为121 V,能将瞬态电压限制在可接受范围,保护后端器件不被高压破坏。
  • 低漏电流:在58 V工作电压下漏电小于1 µA,有利于维持系统的低静态功耗。
  • 宽温度适应性:-55 ℃ 至 +175 ℃ 的工作范围,使其适用于苛刻环境与高温工况。
  • 符合IEC 61000-4-2:对静电放电具有认证级别的保护能力,便于满足系统EMC设计要求。

四、典型应用

  • 电源输入/输出防护(尤其是直流供电线路)
  • 通信接口和信号线浪涌与ESD防护
  • 工业控制设备、电机驱动系统的输入端保护
  • 其他需要高能量瞬态抑制的电子模块

五、封装与热管理

SMA(DO-214AC)封装便于自动贴装与波峰/回流焊工艺,适合中等功率的PCB布局。尽管器件能吸收短时大能量脉冲,但在重复或长时间冲击下需考虑PCB散热与热沉设计:建议在靠近被保护节点处布置较短的走线,增加铜箔面积以提高瞬态热容与散热效率。

六、选型与使用建议

  • 确保 Vrwm(58 V)高于系统最大工作电压,但低于被保护器件承受极限,否则需选择更高或更低的Vrwm型号。
  • 钳位电压(121 V)应小于被保护电路在瞬态下能承受的最大电压。
  • 对于频繁或高能量浪涌环境,考虑并联更大功率的抑制器或在系统中增加分流器件以分摊能量。
  • 注意PCB布局:TVS 尽量靠近被保护端接地,并用粗短的地线或直接回流至公共接地平面以降低地回路电感。
  • 查阅厂方数据手册以获取更详细的浪涌曲线、封装尺寸和焊接工艺规范。

综上,SMA6J58A-TR 以其较高的峰值功率吸收能力、低漏电流及宽温度范围,适合用于工业级和通信类电路的瞬态抑制与ESD保护。选择时应结合具体工作电压、系统耐压以及散热条件进行评估。