STP3NK60Z 产品概述

一、概述

STP3NK60Z 是意法半导体（ST）推出的一款高压 N 沟道功率 MOSFET，封装为常见的 TO-220AB，适用于需要 600V 耐压的开关场合。该器件设计面向开关电源、离线转换器和高压开关负载，兼顾耐压与简单驱动的可用性。

二、主要电气参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：600 V
• 连续漏极电流 Id：2.4 A
• 导通电阻 RDS(on)：3.6 Ω （Vgs = 10 V）
• 流失功率 Pd：45 W
• 阈值电压 Vgs(th)：4.5 V @ 50 μA
• 总栅极电荷 Qg：11.8 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：311 pF
• 输出电容 Coss：43 pF
• 反向传输电容 Crss：8 pF
• 工作结温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 封装：TO-220AB

三、特点与优点

• 高耐压（600 V）：适合市电侧开关、离线电源和反激/正激拓扑。
• TO-220 封装：便于散热和加装散热片，方便在实验与小批量产品中使用。
• 中等栅极电荷（Qg≈11.8 nC）：驱动要求不是很高，但开关速度受栅极电荷影响，建议合理驱动策略以控制开关损耗。
• 较小的 Crss（8 pF）有利于降低米勒效应对开关过程的影响，有助于较稳定的开关过渡。

四、典型应用场景

• 离线开关电源（SMPS）中的高压开关管（反激、正激）
• LED 驱动与灯具电源（需要高耐压的场合）
• 工业电源、适配器与充电器中的高压部分
• 需要 TO-220 便于散热或替换的功率开关场合

五、设计与使用建议

• 驱动电压：为获得标称 RDS(on)，建议 Vgs 驱动到接近 10 V；注意阈值 Vgs(th) 较高（4.5 V），低电压逻辑直接驱动不可行。
• 开关损耗控制：Qg 和 Ciss 相对中等，若在高频开关（>100 kHz）应用，需选用驱动器以缩短上升/下降时间，或考虑降低开关频率。
• 保护措施：在驱动感性负载或高压变换器时，应配置 RC 吸收、TVS 或缓冲电路，防止过压与能量回灌。
• 散热处理：TO-220 可通过背板或散热片显著提高功耗能力，实际允许功耗受散热条件影响，建议按应用计算结温并预留安全裕量。
• 引脚与焊接：TO-220 引脚排列通常为 Gate、Drain、Source（面向正面时自左向右），散热片接触为 Drain；焊接时注意热应力与清洁。

六、注意事项

• 连续电流与实际能力依赖散热条件，45 W 的耗散能力需结合散热方式校核。
• 阈值电压在很小栅流下测得，实际导通特性以 RDS(on) 在标称 Vgs 条件下为准。
• 若对开关性能或效率要求较高，可考虑更低 RDS(on) 或更低 Qg 的替代型号。

以上为 STP3NK60Z 的产品概述与使用建议，可作为设计选型、驱动与散热规划的参考。若需具体的引脚图、典型应用电路或完整绝对最大额定值与表格参数，建议查阅官方数据手册以获得完整规范与测试条件。