STL24N60M2 产品概述

一、关键参数概览

ST 意法半导体的 STL24N60M2 是一颗 N 沟道 MDmesh M2 工艺功率 MOSFET，耐压 Vdss = 600V，连续漏极电流 Id = 18A，导通电阻典型值约 0.186Ω，标称 RDS(on)=210mΩ（Vgs=10V）。栅极阈值 Vgs(th)=4V（250µA），总栅极电荷 Qg=29nC（Vgs=10V），输入电容 Ciss=1.06nF@100V，输出电容 Coss=55pF，反向传输电容 Crss=2.2pF。耗散功率 Pd=125W，工作结温范围 -55℃~+150℃。封装为 PowerFLAT™ 8×8 HV，适合低热阻 PCB 安装。

二、封装与热管理

PowerFLAT 8×8 HV 提供较大的散热平面，有利于通过 PCB 铜箔和过孔传导热量。尽管 Pd 标称高达 125W，但实际热能力强烈依赖于 PCB 散热设计（底层散热层、热过孔、外部散热器）。推荐在高功率应用中使用铜厚、热盲孔/通孔阵列以及靠近器件底面的散热铺铜以降低结-焊盘热阻。

三、驱动与开关特性

Qg=29nC 表明在中等开关频率下需要较强的栅极驱动能力；建议采用 ±10V 以上的栅极驱动（典型驱动电压 10V），并配合适当的栅阻以控制开关过冲与振荡。Ciss 与 Crss 数值显示该器件在高压应用中具有较低的米勒效应（Crss 仅 2.2pF），有利于提高开关性能和减小开关损耗。注意 Vgs 最大额定值（通常 ±20V）和阈值 4V 表明该器件不属于逻辑电平 MOSFET，需充分驱动才能达到标称 RDS(on)。

四、典型应用场景

适用于离线开关电源、高压逆变器、PFC 前端、开关管侧的高压开关（如反激、正激、半桥开关）及工业电源等场合。600V 耐压配合 18A 电流能力，使其在中等功率的开关电源和电力电子转换器中具有良好性价比。

五、设计注意事项与可靠性

• 开关过渡期应配合 RC 吸收或 TVS 防止过压冲击，注意能量吸收和击穿风险。
• 在高频或高 dv/dt 场合要控制米勒电流与寄生感抗，合理布局以减少回路电感。
• 建议在高温或高应力工况下做 SOA 与散热裕度验证并留有适当的电流/温度降额。
• 栅极驱动回路加阻尼与合适的隔离措施可提升稳定性与抗扰性。

六、总结

STL24N60M2 是一款面向 600V 级别、具备中等导通电阻和良好工艺可靠性的功率 MOSFET，封装有利于 PCB 散热与模块化布局。适合中高压开关电源和工业电源场合，设计时需关注栅极驱动能力、散热处理与过压保护以发挥器件最佳性能。