M24256-DRDW3TP/K 产品概述

一、产品简介

M24256-DRDW3TP/K 是意法半导体（ST）的一款高可靠性串行 EEPROM，容量为 256Kbit（32KBytes），采用标准 I2C 双线接口，最大时钟频率可达 1MHz，支持 1.8V 至 5.5V 宽电压工作，封装为 8 引脚 TSSOP，面向需要非易失性配置、参数和日志存储的嵌入式与工业应用。

注：提供信息中工作温度存在两种描述（-40℃+85℃ 与 -40℃+125℃）。在实际选型与上板设计前，请以最新产品数据手册为准，确认器件具体温度等级（标准商用/工业/高温版本）。

二、关键规格

• 存储容量：256Kbit（32KBytes）
• 接口类型：I2C 双线总线
• 最大 I2C 时钟：1MHz（Fast-mode Plus）
• 工作电压：1.8V ~ 5.5V
• 单次写周期时间 Tw：5 ms（典型，页面写完成）
• 数据保持（TDR）：200 年
• 写入寿命：4,000,000 次写周期
• 工作温度：-40℃ 至 +85℃（请核对是否存在 +125℃ 高温版本）
• 封装：8-TSSOP（细间距小型封装）

三、电气与性能特性

该器件在 1.8V 到 5.5V 范围内稳定工作，适合与低压 MCU 直接连接。I2C 最大 1MHz 时钟支持高吞吐的读取/写入操作，适用于需要较快响应的场景。典型写周期为 5ms，写操作后应等待写完成或采用 ACK polling 方式确认，合理安排页面写以提高效率和缩短总写入时间。

四、封装与机械信息

8 引脚 TSSOP 封装占板面积小，适合空间受限的应用。引脚排列与常见 I2C EEPROM 类似，便于替换与板级互换。设计时注意热扩散与散热，若使用高温等级型号，请同时考虑周边元件的温度容限。

五、可靠性与寿命

器件保证极长的数据保持（典型 200 年）和极高的写入寿命（达到 4,000,000 次），适合频繁写入的工业测量、校准数据以及严苛寿命需求的系统。即便在宽电压和较大温度范围内，器件依然保持良好可靠性，但实际寿命与环境、写入模式相关，建议合理规划写入策略以延长系统寿命。

六、典型应用场景

• 工业控制器配置与参数存储
• 数据记录器与事件日志
• 设备校准常数与序列号存储
• 医疗设备、仪表与传感器模块（视温度等级而定）
• 需要低功耗、非易失性保存的消费类与嵌入式系统

七、设计与使用建议

• 在 I2C 总线上使用合适阻值的上拉电阻，参考总线容量与通讯速率选择。
• 写操作后使用 ACK polling 或等待推荐的 Tw（5ms）以确保写周期完成，避免数据损坏。
• 合理采用页面写以减少总线活动与提高效率，但注意页面边界限制（详见数据手册）。
• 若系统存在不同电压域，采用合适的电平翻译器；器件本身支持 1.8V 至 5.5V，但两端器件接口需兼容。
• 在苛刻环境下（高温、高湿、强干扰），参考厂家应用注意事项并做好 PCB 布局与电源滤波。

八、订购与变体

M24256-DRDW3TP/K 为 ST 品牌型号之一，封装为 TSSOP-8。实际采购时，请核对温度等级（工业或高温版）、带写保护/特殊标识的后缀以及包装方式（卷带、管装等），并以官方数据手册与授权分销商信息为准。

九、总结

M24256-DRDW3TP/K 是一款特性全面的 256Kbit I2C EEPROM，具备宽电压、较高通讯速率与出色的可靠性指标，适合用于工业与嵌入式领域的参数与日志存储。在最终设计与采购前，建议参考 ST 官方数据手册确认页面大小、引脚描述、写保护与温度等级等具体细节，以确保选型与系统需求完全匹配。