型号:

FM25Q08B-SO-T-G

品牌:FM(复旦微)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
FM25Q08B-SO-T-G 产品实物图片
FM25Q08B-SO-T-G 一小时发货
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4000+
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产品参数
属性参数值
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)100MHz
工作电压2.3V~3.6V
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)3ms
数据保留 - TDR(年)20年

FM25Q08B-SO-T-G 产品概述

一、产品简介

FM25Q08B-SO-T-G 是复旦微(FM)推出的一款 SPI 片选外设存储器,容量 8 Mbit(即 1 MByte),采用标准 SOP-8 封装,面向需要小型化、低功耗和高可靠性的嵌入式存储应用。器件工作电压范围为 2.3V~3.6V,最高时钟频率 fc 可达 100 MHz,兼容常见 SPI 总线控制器,便于系统集成和固件存储。

二、主要参数

  • 接口类型:SPI
  • 存储容量:8 Mbit(1 MByte)
  • 时钟频率(fc):100 MHz(最大)
  • 工作电压:2.3V ~ 3.6V
  • 擦写寿命:100,000 次
  • 页写入时间(Tpp):3 ms(典型)
  • 数据保持(TDR):20 年
  • 封装:SOP-8
  • 品牌:FM(复旦微)

三、性能与可靠性

器件支持典型的页写入操作,Tpp≈3 ms,有利于分段写入以提升写入效率并减少擦写次数。额定擦写寿命 100k 次适合常规固件更新与参数存储场景;数据保持 20 年满足长期存储需求。工作电压覆盖 2.3V~3.6V,适应 2.7V 与 3.3V 系统常用电源。

四、封装与系统集成建议

SOP-8 工业常用封装便于手工焊接与自动贴装。设计时建议:

  • 在电源引脚近端放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,抑制瞬态干扰;
  • 若 MCU 或总线电平高于 3.6V,请加电平转换电路;
  • CS/CLK/MOSI/MISO 等线尽量缩短,避免长线导致时序和信号完整性问题;
  • 在系统设计中为写操作留出足够时间,使用器件 BUSY/状态查询命令确认操作完成。

五、典型应用场景

适用于固件和配置存储、启动引导区、参数保存及需要中等容量的代码或数据存储的嵌入式设备,如工业控制、通信终端、智能家电、仪表和消费电子产品。

六、选型与使用注意事项

在选型时注意容量是否满足固件与用户数据需求,若频繁写入或大范围擦写,需评估寿命与采取磨损均衡策略。使用前务必参考厂商完整 datasheet,确认命令集、页大小、扇区/块结构及电气和时序限制。

七、结论

FM25Q08B-SO-T-G 以其 8Mbit 容量、宽电压范围、高达 100 MHz 的 SPI 时钟和可靠的擦写/保持特性,适合多数中小容量嵌入式存储需求。结合良好的系统设计和写入管理,可以在多种场景中提供稳定的存储解决方案。如需详细引脚、指令和时序信息,请参阅厂商技术资料或联系复旦微技术支持。