PESD5V0X1UB-ES 产品概述

一、概述

PESD5V0X1UB-ES 是 ElecSuper（静芯微）推出的一款单路单向 ESD 抑制器，采用超小型 SOD523 封装，专为 5V 级别信号/电源线路提供高效的瞬态过电压保护。器件在正常工作时处于反向偏置，对外部静电放电或浪涌事件能快速导通，将能量钳位到安全电平，保护下游敏感芯片。

二、主要电气参数

• 反向截止电压（Vrwm）：5V（适配常见 5V 供电与信号线）
• 击穿电压：6V
• 钳位电压：典型 10V（低能量脉冲）；峰值约 13V（Ipp=4A@8/20μs）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：4A @ 8/20μs
• 峰值脉冲功率（Ppp）：55W @ 8/20μs
• 反向电流（Ir）：1 μA（高阻态低泄漏）
• 结电容（Cj）：0.5 pF（超低电容，适合高速信号）
• 通道数：单路（单向）
• 工作温度：-40℃ ~ +125℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 要求
• 封装：SOD523（小尺寸、低寄生参数）

三、产品亮点

• 低电容（0.5 pF），不会明显影响高速数据线（USB2.0、I2C、UART、GPIO 等）信号完整性。
• 单向结构，适用于对接地单极保护的 5V 供电/信号线。
• 高能量吸收能力（4A@8/20μs，55W），在常见静电和浪涌事件下能有效钳位并保护后级电路。
• 超小 SOD523 封装，节省 PCB 面积，适合移动设备与紧凑型电子产品。

四、典型应用场景

• USB（尤其是 USB2.0、VBUS 5V 线）和通用 I/O 保护
• 工业控制与传感器接口（5V TTL/LVTTL）
• 智能穿戴、移动设备、物联网终端的电源与信号保护
• 充电器、适配器前端的浪涌/ESD 防护
• 其他需在有限空间内实现高效 ESD 抑制的场合

五、使用建议与布局注意事项

• 器件应尽量贴近需要保护的连接器或接口位置布置，减小走线长度与环路面积。
• 将阳极接至稳固地（GND），阴极接被保护的信号/电源线，确保在静电事件时快速导通泄放至地。
• 避免在保护器件与保护对象之间串联过多阻抗元件，否则会降低钳位效率。
• 对于需要更高能量处理能力的场合，可并联或选型更高功率 TVS 器件；但并联需注意电流分配与匹配。

六、封装与可靠性

SOD523 小型封装适合自动贴装与回流焊工艺，器件耐温范围宽（-40℃ 至 +125℃），满足消费电子及工业温度要求。符合 IEC 61000-4-2 标准，能承受常见接触/空放静电级别的防护需求。

七、总结

PESD5V0X1UB-ES 以其低电容、低泄漏、高能量吸收和小尺寸封装，成为保护 5V 等级信号与电源线的理想选择。适用于对信号完整性要求高且空间受限的产品设计，能在静电和瞬态浪涌事件中为后端电路提供可靠保护。若需批量选型或了解器件在特定应用场景（如 USB3/高速差分对）的兼容性，建议与供应商确认更详细的特性曲线与评估样品测试数据。