TC212A475K016Y 产品概述

一、产品简介

TC212A475K016Y 为 Sunlord（顺络）钽电容，额定电压 16V，容值 4.7µF，精度 ±10%，等效串联电阻（ESR）5Ω@100kHz，工作温度范围 -55℃ 至 +125℃。封装为 CASE-A_3216（尺寸约 3.2mm × 1.6mm，厚度 1.8mm），体积小、容值密度高，适用于空间受限且对稳定性有要求的电子设备中做去耦、滤波及能量缓冲。

二、主要参数

• 容值：4.7µF ±10%
• 额定电压：16V
• ESR：5Ω @ 100kHz
• 工作温度：-55℃ ~ +125℃
• 封装：CASE-A_3216（约 3.2×1.6×1.8 mm）
• 材料：钽电解质（固体钽）
• 品牌：Sunlord（顺络）

三、关键特性

• 体积小、容值密度高，适合微型化、轻薄化设计。
• 宽温范围内电容变化小，温度稳定性好。
• 钽电容固有的低漏电流与良好频率响应（在其应用频段）使其在电源去耦与稳压回路中表现稳定。
• 需注意对浪涌电流和反向电压敏感，设计时应采取防护措施以提高可靠性。

四、典型应用

• 电源去耦与稳压器输出滤波（尤其在空间受限的低功耗模块中）。
• 数字电路的本地旁路电容（MCU、DSP、电源管理IC附近）。
• 通信设备、车载电子、工业控制和消费类便携设备中的电源降噪与瞬态响应补偿。

五、设计与选型建议

• 电压降额：为提高可靠性，建议在设计中对钽电容进行电压降额（常见做法为使用额定电压的 50%~80%）。
• 防止反向偏置：钽电容为极性器件，切勿在电路中承受长期反向电压。
• 限制浪涌电流：避免在开机或切换时发生大浪涌电流，可并联阻尼或使用限流器件。
• 与陶瓷电容互补：在高频去耦场合可与低ESR的陶瓷电容并联使用，兼顾低频能量储备和高频滤波。

六、封装及焊接注意

• 封装尺寸为 3216，焊盘设计请参照厂方推荐的 PCB 脚位与焊盘尺寸，保证焊接可靠性。
• 遵循通用回流焊曲线并避免过热，焊后应做良好清洁以去除助焊剂残留。
• 储存与搬运时避免机械应力和潮湿环境，必要时按湿度敏感器件（MSD）要求进行预烘。

七、可靠性与测试要点

• 建议在样机阶段做电压冲击、浪涌电流及温度循环测试，验证在目标应用下的长期稳定性。
• 注意观察漏电流、容值漂移和 ESR 变化，特别是在高温或大电压应力下的表现。

八、采购与替代方案

• 本型号适合需要小尺寸且稳定容量的场合；若需更低 ESR 或无极性方案，可考虑多层陶瓷电容（MLCC）或铝电解/钽固体其他规格作替代，选型时综合考虑体积、ESR、耐压与可靠性要求。

备注：以上参数以客户提供的基础参数为准，具体电气与机械图纸、焊盘推荐和可靠性认证请参考 Sunlord 官方规格书或向供应商索取详细资料。