GBU8M 产品概述

一、产品简介

GBU8M 是 ON（安森美）提供的一款单相整流桥，采用 GBU 封装设计，面向高压整流场合。器件在额定工作条件下可提供 8A 的整流电流，单个整流路径正向压降为 1.0V（1V@8A），整流桥在整流工作时存在两只二极管同时导通的情况，应按桥式整流的总压降计算功耗。该器件具备高耐压、低反向漏电和较强浪涌承受能力，适用于对可靠性和耐压有要求的电源与工业电子应用。

二、主要性能参数

• 正向压降（Vf）：1.0V @ 8A（单只二极管）
• 直流反向耐压（Vr）：1000V（1kV）
• 整流电流（Io）：8A（平均整流电流）
• 反向电流（Ir）：5μA @ 1kV（典型/额定条件）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：200A（单次峰值冲击）
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
• 类型：单相整流桥，封装：GBU

三、典型应用场景

• 高压直流电源整流与滤波
• 工业电源与控制设备（驱动、电机控制）
• 电池充电与充放电控制（需注意热管理与电流分配）
• 交流/直流转换模块、整流前级保护电路
• 需要高耐压且低漏电的测量、医疗或测试设备（根据系统安全规范评估）

四、封装与散热建议

GBU 封装将桥式整流组件集成在单一模块内，便于装配与布局。由于桥式整流在通电时两只二极管交替导通，整流桥总的瞬时压降约为两倍单只 Vf；在 8A 工作点下，整流桥总导通压降约 2V，导致较大的功耗（近似 16W），因此必须在设计中预留充分的散热通道。建议：

• 配合散热片或在 PCB 上提供较大铜箔散热区域；
• 对环境温度进行必要的热仿真和实测，按结温限制进行电流/温度的降额；
• 考虑浪涌和短时过流时的热冲击，确保 Ifsm 200A 的非重复峰值不会造成封装损坏。

五、设计与使用建议

• 在高压侧应使用合适的熔断器或限流器件以防短路导致的过流损坏；
• 在可能出现高 dv/dt 或反向恢复问题的应用中，可并联适当的 RC 吸收或压敏元件以抑制瞬态应力；
• 反向漏电随温度上升而增加，系统设计时应考虑在高温工况下的漏电容忍度；
• 安装时注意保持足够的爬电距离与绝缘，以满足安全规范。

六、可靠性与注意事项

GBU8M 在宽温区间内运行性能稳定，但长期可靠性依赖于良好的热管理与正确的电气保护。避免持续在极限结温附近工作，防止由于反复高温循环导致性能退化。高压整流场合应严格按照系统安全标准处理接地和屏蔽。

七、结语

GBU8M 以其 1kV 的高耐压、低漏电特性和 8A 的整流能力，适合用于需要高压整流且对漏电敏感的应用场合。但因整流桥工作时总压降较大，系统设计应重视散热和浪涌保护，通过合理的布局与热设计，能够发挥该器件的稳定性和耐久性。若需替代元件或更详细的热阻、封装尺寸与波形特性，建议参考 ON 官方数据手册或联系供应商获取原厂技术资料。