型号:

BSS138PW

品牌:ElecSuper(静芯微)
封装:SOT-323
批次:26+
包装:编带
重量:0.042g
其他:
-
BSS138PW 产品实物图片
BSS138PW 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 50V 300mA 1个N沟道 SOT-323
库存数量
库存:
2990
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0977
3000+
0.0776
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)360mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)236mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)650pC@4.5V
输入电容(Ciss)25pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)9.7pF

BSS138PW 产品概述

一、产品简介

BSS138PW 是一款小功率 N 沟道增强型场效应管,封装为 SOT-323(超小型封装),由 ElecSuper(静芯微)提供。器件针对空间受限和低功耗应用优化,适合开关、信号电平转换与负载控制等场景。器件工作温度范围为 -55℃ 到 +150℃,适应较宽的工业温度要求。

二、主要电气参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET(增强型)
  • 漏源电压 Vdss:60V(注:产品描述处亦有 50V 标注,请以实际产品铭牌或厂商数据手册为准)
  • 连续漏极电流 Id:约 360mA(典型应用可见 300mA 到 360mA 范围)
  • 最大耗散功率 Pd:约 236mW(描述中亦见 300mW 标称)
  • 导通电阻 RDS(on):1.5Ω @ Vgs=10V
  • 阈值电压 Vgs(th):约 1.0V @ Id=250µA
  • 门极总电荷 Qg:约 650pC @ Vgs=4.5V
  • 输入电容 Ciss:25pF;输出电容 Coss:9.7pF;反向传输电容 Crss:2.2pF

三、特性与优势

  • 超小封装(SOT-323)便于高密度 PCB 布局,适合消费电子与便携设备。
  • 较高的 Vdss(50–60V 等级)使器件能在较大电压裕量下工作,适用于隔离式或高侧保护应用。
  • 较低的 Ciss/Coss 有利于高速开关性能,门极充放电速度更快,尽管 Qg 相对偏大,需关注驱动能力。
  • 阈值电压低,可在较低栅压下进入导通,但完全导通时仍依赖足够栅压以降低 RDS(on)。

四、典型应用场景

  • 低电流开关与电源路径断开(电池管理、电源选择)
  • 电平移位与逻辑接口保护(尤其需要耐压的电平转换)
  • 便携式设备、传感器节点、MCU 外围电源控制
  • 小功率 PWM 与脉冲开关场合(需注意耗散与散热)

五、设计与使用建议

  • 考虑到 RDS(on) 在 Vgs=10V 下仍为 1.5Ω,若需要更低导通损耗,应确保栅极驱动到足够电压或选用更低 RDS(on) 器件。
  • Qg 值较大,短脉冲或高速切换时门极驱动器需提供相应电流;若驱动能力有限,会增加开关损耗与开关时间。
  • 封装热阻较高,应注意功耗限制与 PCB 散热设计,避免长期在额定 Pd 附近工作。
  • 在高压或关键电路中,建议参考厂商完整数据手册并进行实际温升与耐压测试。

六、选型与替代

选择时以实际工况(最大电流、开关频率、可用栅压与散热条件)为准。若要求更低 RDS(on) 或更大电流,应考虑体积稍大但导通损耗更低的替代品;若空间极为受限且工作电流更小,BSS138PW 的小型化与耐压能力仍是优势。

如需完整参数、封装图与典型应用电路,请参阅厂商数据手册或联系 ElecSuper 技术支持以获取详尽资料。