PSD12C-ES — 1 路双向 ESD 保护器件（ElecSuper / 静芯微）

一、产品概述

PSD12C-ES 是由 ElecSuper（静芯微）推出的一款小型、低电容的单路双向静电放电（ESD）保护器件，采用 SOD-323 封装，专为对敏感信号线路和电源线提供快速、高效的瞬态抑制而设计。器件在常态下具有极低的泄漏电流（Ir ≈ 1 µA），在遭受静电或脉冲冲击时能够在短时间内承受高能量脉冲（Ppp = 350 W，Ipp = 12 A），并将线路电压钳位于安全范围（钳位电压 ≈ 37 V），有效保护后端电路元件免受损伤。

二、主要技术参数

• 极性：双向（可对双向或对称摆幅信号进行保护）
• 反向稳态电压 Vrwm：12 V
• 击穿电压 Vbr（典型）：13.3 V
• 钳位电压 Vcl（在 Ipp 条件下）：37 V
• 峰值脉冲电流 Ipp（8/20 µs 波形，典型）：12 A
• 峰值脉冲功率 Ppp（8/20 µs 波形，典型）：350 W
• 反向电流 Ir：约 1 µA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：70 pF（典型）
• 通道数：单路
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-2 静电放电防护要求
• 封装：SOD-323

三、产品特性与优势

• 小体积封装：SOD-323 适合空间受限的便携设备和消费电子产品，便于高密度 PCB 布局。
• 双向保护：适合对称信号线或可能出现正负极性脉冲的接口（例如交流耦合线路、某些总线或双向通信端口）。
• 低泄漏：Ir ≈ 1 µA，可用于对漏电敏感的电路，不会显著影响待保护线路的静态功耗。
• 中等结电容：Cj ≈ 70 pF，适用于低速至中速信号保护；对超高速差分接口（如超高速串行链路）需评估信号完整性影响。
• 高能瞬态承受能力：350 W（8/20 µs）峰值脉冲功率，能有效吸收常见的静电放电与脉冲干扰。
• 符合 IEC 标准：满足 IEC 61000-4-2 的抗静电放电能力，便于系统级电磁兼容设计。

四、典型应用场景

• 移动设备与便携终端的按键、数据口和外壳连接线路的 ESD 防护
• 工业与楼宇控制中对 12 V 及以下系统信号线的过电压瞬态抑制
• 通用 I/O 接口、串行通信口（UART、RS-232 等）与模拟开关接口的防护
• 需要双向防护的传感器线缆或交流耦合线路
• USB、音频、低速以太网等对速度要求不是极高且容忍一定电容负载的接口（需按系统评估 Cj 的影响）

五、PCB 布局与设计建议

• 靠近信号入口放置：将 PSD12C-ES 放置在受保护端口与 PCB 内部电路之间的最短路径处，尽量靠近连接器或受干扰源。
• 缩短导线与回流路径：走线尽量短且宽，使用足够的地平面和近距离的地回流通道（vias），以降低阻抗与寄生电感，提升瞬态吸收能力。
• 热与能量散热：虽然器件可承受高能脉冲，但为避免重复冲击导致温升累积，建议在可能的情况下提供较大的铜箔面积或散热路径以帮助热量分散。
• 注意串联阻抗：对高频信号，器件结电容（70 pF）可能影响信号完整性，应根据带宽需求评估是否适合或采用低容版本。
• 焊接工艺：遵循 SOD-323 的回流焊工艺规范，避免过热导致器件性能退化。

六、使用注意事项与局限

• 非持续浪涌保护器：PSD12C-ES 设计用于瞬态脉冲吸收，不适合长期、大能量的连续过压或短路保护场景。
• 钳位电压与后端承受能力：钳位电压约 37 V（在 Ipp 条件下）在保护器件导通时仍会让一定电压施加在受保护元件上，系统设计需保证后端器件能承受该电压或在电路中增加其他限制措施。
• 信号速率限制：70 pF 的结电容对高带宽差分信号可能造成阻抗不匹配或信号失真，选型时需与系统带宽要求匹配。
• 环境与可靠性：在高温或反复强脉冲冲击下，器件性能可能随时间变化，建议在真实工况下进行可靠性验证。

七、封装与订购信息

• 品牌：ElecSuper（静芯微）
• 型号：PSD12C-ES
• 封装：SOD-323
• 通道：单路，双向 ESD 保护

总结：PSD12C-ES 为对中低速信号和 12 V 等级电路提供高效、体积小巧的双向 ESD 保护方案。凭借低泄漏、高脉冲能量吸收能力和标准化的封装，适合在消费电子、工业控制以及一般 I/O 端口的过电压和静电放电保护中使用。选型时请结合线路带宽、允许的钳位电压及散热条件进行综合评估。